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解析IGBT半電流和全電流

來源：| 發(fā)布日期：2023-07-03 14:56:20 瀏覽量：

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓功率半導(dǎo)體器件，常用于電力電子設(shè)備中。半電流和全電流是指IGBT的兩種不同工作方式。

解析IGBT半電流和全電流


半電流模式下，IGBT只允許電流在一個(gè)方向上流動，即只有正向電流通過。這種模式適用于需要控制電流方向的應(yīng)用，例如電機(jī)驅(qū)動器。在半電流模式下，IGBT的電流承受能力較高，但其導(dǎo)通壓降較大。

全電流模式下，IGBT允許電流在兩個(gè)方向上流動，即正向電流和反向電流都可以通過。這種模式適用于需要雙向電流控制的應(yīng)用，例如逆變器。在全電流模式下，IGBT的電流承受能力較低，但其導(dǎo)通壓降較小。

因此，半電流和全電流是指IGBT的兩種不同工作方式，根據(jù)應(yīng)用需求選擇合適的工作模式。


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