近日，羅姆半導(dǎo)體（ROHM）又推出了一款全新的產(chǎn)品，名為EcoGaN? Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”。該產(chǎn)品具備取代現(xiàn)有Si MOSFET的能力，從而可將器件體積減少99%，功率損耗降低55%。這將有助于減小服務(wù)器和AC適配器的體積，并降低電能損耗。

針對(duì)可持續(xù)發(fā)展的需求，ROHM半導(dǎo)體技術(shù)中心High Power Solution部門負(fù)責(zé)人周勁介紹說，GaN HEMT是一種被寄予厚望的器件，可以提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化。然而，與Si MOSFET相比，GaN HEMT的柵極處理較為困難，例如驅(qū)動(dòng)電壓低、易于誤啟動(dòng)，柵極耐電壓低，存在損壞風(fēng)險(xiǎn)。為此，必須與驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O用的驅(qū)動(dòng)器結(jié)合使用，這不僅增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜度，還會(huì)增加系統(tǒng)成本。

為了解決這個(gè)問題，ROHM結(jié)合其擅長的功率和模擬兩種核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)，開發(fā)出了一款集成了功率半導(dǎo)體和模擬半導(dǎo)體的Power Stage IC。換句話說，該產(chǎn)品集成了新一代功率器件650V GaN HEMT，具備專用柵極驅(qū)動(dòng)器、新增功能以及外圍元器件。此外，該產(chǎn)品支持更寬的驅(qū)動(dòng)電壓范圍（2.5V～30V），適用于替代現(xiàn)有的Si MOSFET。EcoGaN? Power Stage IC具備以下三個(gè)特點(diǎn)：

首先，它支持各種一次側(cè)電源電路。由于驅(qū)動(dòng)范圍寬、啟動(dòng)時(shí)間短，并且傳輸延遲時(shí)間短，因此可以廣泛應(yīng)用于各種AC-DC電路，包括反激式、半橋、交錯(cuò)式PFC和圖騰柱PFC。同時(shí)，使用該產(chǎn)品可以簡化整體環(huán)路等設(shè)計(jì)。

其次，該產(chǎn)品進(jìn)一步降低了功耗。在導(dǎo)通損耗影響較小的情況下，相較于Si MOSFET單體，功耗減少了55%。與普通產(chǎn)品相比，它仍然可以達(dá)到20%左右的功耗減小程度。

同時(shí)，該產(chǎn)品還實(shí)現(xiàn)了進(jìn)一步的小型化。一般來說，普通產(chǎn)品涉及9個(gè)相關(guān)元器件，而羅姆的新產(chǎn)品通過簡化驅(qū)動(dòng)方式，只需要1個(gè)外置Power Stage相關(guān)元器件。

目前，Power Stage IC有兩款型號(hào)：BM3G007MUV-LB和BM3G015MUV-LB，導(dǎo)通電阻分別為70毫歐和150毫歐。此外，羅姆還提供了三款評(píng)估板，BM3G007MUV-EVK-002用于評(píng)估BM3G007MUV-LB，BM3G015MUV-LB和BM3G015MUV-LB的性能和特點(diǎn)。這些評(píng)估板旨在幫助客戶快速評(píng)估和驗(yàn)證EcoGaN? Power Stage IC的性能。

據(jù)介紹，BM3G007MUV-LB和BM3G015MUV-LB是兩種功率級(jí)別不同的Power Stage IC。BM3G007MUV-LB的導(dǎo)通電阻為70毫歐，適用于低功率應(yīng)用，而BM3G015MUV-LB的導(dǎo)通電阻為150毫歐，適用于中等功率應(yīng)用。這兩款產(chǎn)品均采用了ROHM自家研發(fā)的650V GaN HEMT技術(shù)，具備高效率和小型化的特點(diǎn)。

針對(duì)這兩款Power Stage IC，ROHM提供了三款評(píng)估板，分別是BM3G007MUV-EVK-002、BM3G015MUV-EVK-002和BM3G015MUV-EVK-003。這些評(píng)估板旨在幫助客戶快速評(píng)估EcoGaN? Power Stage IC的性能，并驗(yàn)證其在實(shí)際應(yīng)用中的可行性。

評(píng)估板BM3G007MUV-EVK-002適用于評(píng)估BM3G007MUV-LB，而BM3G015MUV-EVK-002和BM3G015MUV-EVK-003適用于評(píng)估BM3G015MUV-LB。這些評(píng)估板提供了完整的電路和驅(qū)動(dòng)器，以及各種測試點(diǎn)和接口，方便客戶進(jìn)行性能測試和系統(tǒng)驗(yàn)證。

通過使用這些評(píng)估板，客戶可以快速了解EcoGaN? Power Stage IC的性能特點(diǎn)，包括功率轉(zhuǎn)換效率、功率因數(shù)改善、小型化等。同時(shí)，客戶還可以驗(yàn)證這些器件在不同應(yīng)用場景下的穩(wěn)定性和可靠性。

總體而言，羅姆的EcoGaN? Power Stage IC系列與GaN器件相結(jié)合，為客戶提供了靈活選擇的機(jī)會(huì)。預(yù)計(jì)在2024年一季度，準(zhǔn)偕振AC-DC+GaN的器件和功率因數(shù)改善+GaN的器件將開始量產(chǎn)，而半橋+GaN的器件預(yù)計(jì)在2024年第二季度量產(chǎn)。這些新產(chǎn)品的推出將進(jìn)一步推動(dòng)功率轉(zhuǎn)換效率的提升和器件的小型化，為可持續(xù)發(fā)展的電力應(yīng)用提供了更加高效和可靠的解決方案。

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