隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，SiC MOSFET作為一種高性能的功率開關(guān)器件，得到了廣泛的關(guān)注和應(yīng)用。ROHM作為一家領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，推出了第4代SiC MOSFET產(chǎn)品，通過進(jìn)一步改進(jìn)結(jié)構(gòu)和性能，實(shí)現(xiàn)了更低的導(dǎo)通電阻和更出色的高速開關(guān)特性。本文將為您介紹ROHM第4代SiC MOSFET的特點(diǎn)，并初步了解其在應(yīng)用中的效果。

1、改進(jìn)的雙溝槽結(jié)構(gòu)：更低導(dǎo)通電阻和短路耐受時(shí)間

ROHM第4代SiC MOSFET通過改進(jìn)雙溝槽結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步提升了性能。其中，針對EV牽引逆變器等應(yīng)用所需的短路耐受時(shí)間進(jìn)行了改善。與第3代SiC MOSFET相比，第4代產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻降低了約40%。這使得第4代SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻達(dá)到了業(yè)內(nèi)超低級別，為電路的高效運(yùn)行提供了有力支持。

2、降低寄生電容：更低的開關(guān)損耗

第4代SiC MOSFET在設(shè)計(jì)中大幅降低了柵-漏電容(CGD)，成功地降低了開關(guān)損耗。與第3代SiC MOSFET相比，開關(guān)損耗降低了約50%。這一改進(jìn)使得第4代SiC MOSFET在高速開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，為提高系統(tǒng)效率和減少能量損耗做出了重要貢獻(xiàn)。

3、支持15V柵-源電壓驅(qū)動(dòng)：更簡化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)

第4代SiC MOSFET將柵-源電壓驅(qū)動(dòng)(VGS)降低至15V。相較于第3代SiC MOSFET的18V驅(qū)動(dòng)電壓，第4代產(chǎn)品的15V驅(qū)動(dòng)電壓使得應(yīng)用產(chǎn)品的設(shè)計(jì)更加容易。這為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供了更大的靈活性和便利性，同時(shí)降低了設(shè)計(jì)成本和復(fù)雜度。

綜上所述，ROHM推出的第4代SiC MOSFET在性能和特點(diǎn)上有了顯著的提升。通過降低導(dǎo)通電阻、寄生電容和驅(qū)動(dòng)電壓，該產(chǎn)品在高效能電力電子應(yīng)用中表現(xiàn)出色。然而，需要注意的是，本文僅初步了解了第4代SiC MOSFET的特點(diǎn)和應(yīng)用效果，更多詳細(xì)信息需要進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)和驗(yàn)證。隨著SiC MOSFET技術(shù)的不斷進(jìn)步，相信其在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用將會(huì)有更廣闊的前景。