Nexperia推出新一代GaN FET器件，采用了新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。

Nexperia最近宣布推出了新款GaN FET器件，采用了新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝。這一突破性的封裝方案為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供了更多選擇。

經(jīng)過二十多年的努力，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識。現(xiàn)在，他們成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應(yīng)用于級聯(lián)氮化鎵場效應(yīng)管(GaN FET)，推出了GAN039-650NTB，這是一款33mΩ(典型值)的氮化鎵場效應(yīng)管，采用CCPAK1212i頂部散熱封裝技術(shù)，開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相結(jié)合的新時代。這項技術(shù)為太陽能和家用熱泵等可再生能源應(yīng)用帶來諸多優(yōu)勢，進(jìn)一步加強(qiáng)了Nexperia為可持續(xù)應(yīng)用開發(fā)前沿器件技術(shù)的承諾。該技術(shù)還適用于廣泛的工業(yè)應(yīng)用，如伺服驅(qū)動器、開關(guān)模式電源(SMPS)、服務(wù)器和電信應(yīng)用。

Nexperia的創(chuàng)新型CCPAK封裝采用了Nexperia成熟的銅夾片封裝技術(shù)，無需內(nèi)部焊線，從而可以減少寄生損耗，優(yōu)化電氣和熱性能，并提高了器件的可靠性。為了更大限度地提升設(shè)計靈活性，CCPAK GaN FET提供頂部或底部散熱配置，進(jìn)一步改善散熱性能。

GAN039-650NTB的級聯(lián)配置使其能夠提供出色的開關(guān)和導(dǎo)通性能，此外其穩(wěn)健可靠的柵極結(jié)構(gòu)可提供較高的噪聲容限。這一特性還有益于簡化應(yīng)用設(shè)計，無需復(fù)雜的柵極驅(qū)動器和控制電路，只需使用標(biāo)準(zhǔn)硅MOSFET驅(qū)動器即可輕松驅(qū)動這些器件。Nexperia的GaN技術(shù)提高了開關(guān)穩(wěn)定性，并有助于將裸片尺寸縮小約24%。此外，器件的RDS(on)在25℃時僅為33 mΩ(典型值)，同時其具有較高的門極閾值電壓和較低的等效的體二極管導(dǎo)通壓降。

Nexperia副總裁兼GaN FET業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Carlos Castro表示：“Nexperia深刻認(rèn)識到，工業(yè)和可再生能源設(shè)備的設(shè)計人員需要一種高度穩(wěn)健的開關(guān)解決方案，以便在進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換時實(shí)現(xiàn)出色的熱效率。因此Nexperia決定推出了GAN039-650NTB型號，這款器件采用了我們最新的高壓GaN HEMT技術(shù)和CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用提供了更多選擇。

Nexperia的GaN FET器件在提供高效能量轉(zhuǎn)換的同時，還具有出色的熱性能和可靠性。我們的CCPAK封裝技術(shù)結(jié)合了銅夾片封裝的優(yōu)勢，無需內(nèi)部焊線，減少了寄生損耗，提高了器件的可靠性和穩(wěn)定性。此外，CCPAK GaN FET提供頂部或底部散熱配置，進(jìn)一步改善了散熱性能，為設(shè)計人員提供更大的靈活性。

GAN039-650NTB的級聯(lián)配置使其能夠提供出色的開關(guān)和導(dǎo)通性能，同時具有穩(wěn)健可靠的柵極結(jié)構(gòu)，能夠提供較高的噪聲容限。這一特性簡化了應(yīng)用設(shè)計，無需復(fù)雜的柵極驅(qū)動器和控制電路，只需使用標(biāo)準(zhǔn)硅MOSFET驅(qū)動器即可輕松驅(qū)動這些器件。

我們相信，GAN039-650NTB將為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用領(lǐng)域帶來更多的創(chuàng)新和便利，為可持續(xù)能源發(fā)展做出貢獻(xiàn)。我們將繼續(xù)致力于推動GaN技術(shù)的發(fā)展，為客戶提供更先進(jìn)、高效的解決方案。如需數(shù)據(jù)手冊、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。