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臺(tái)積電發(fā)布1納米制程產(chǎn)品規(guī)劃藍(lán)圖

來(lái)源：國(guó)際電子元件會(huì)議| 發(fā)布日期：2023-12-30 09:17:06 瀏覽量：

2023年IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議(IEDM)上，臺(tái)積電發(fā)布了進(jìn)軍至1nm制程的產(chǎn)品規(guī)劃藍(lán)圖，這一計(jì)劃與英特爾去年透露的規(guī)劃類似。根據(jù)規(guī)劃，臺(tái)積電將并行推動(dòng)3D封裝和單芯片封裝的技術(shù)路徑的發(fā)展。預(yù)計(jì)在2025年，臺(tái)積電將完成N2和N2P節(jié)點(diǎn)，使得采用3D封裝的芯片晶體管數(shù)量超過(guò)5000億個(gè)，而采用傳統(tǒng)封裝技術(shù)的芯片晶體管數(shù)量超過(guò)1000億個(gè)。

臺(tái)積電計(jì)劃在2027年達(dá)到A14節(jié)點(diǎn)，并在2030年達(dá)到A10節(jié)點(diǎn)，即1nm制程芯片。屆時(shí)，采用臺(tái)積電3D封裝技術(shù)的芯片晶體管數(shù)量將超過(guò)1萬(wàn)億個(gè)，而采用傳統(tǒng)封裝技術(shù)的芯片晶體管數(shù)量將超過(guò)2000億個(gè)。

臺(tái)積電發(fā)布1納米制程產(chǎn)品規(guī)劃藍(lán)圖

據(jù)悉，臺(tái)積電將使用EUV極紫外光刻、新通道材料、金屬氧化物ESL、自對(duì)齊線彈性空間、低損傷低硬化低K銅材料填充等一系列新材料、新技術(shù)，并結(jié)合CoWoS、InFO、SoIC等一系列封裝技術(shù)。

臺(tái)積電在會(huì)議上還透露，其1.4nm級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。同時(shí)，臺(tái)積電重申，2nm級(jí)制程將按計(jì)劃于2025年開(kāi)始量產(chǎn)。

盡管臺(tái)積電的發(fā)展速度有所放緩，但其在半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，如三星等公司，仍在不斷努力追趕臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。今年六月，三星代工公布了其最新的工藝技術(shù)發(fā)展路線圖，計(jì)劃在2025年推出2納米制程的SF2工藝，并在2027年推出1.4納米制程的SF1.4工藝。如果這些計(jì)劃能夠如期實(shí)現(xiàn)，三星有可能在與臺(tái)積電相似的時(shí)間節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)類似的先進(jìn)工藝水平。

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