隨著電動汽車、儲能系統(tǒng)和光伏等領(lǐng)域的不斷發(fā)展，英飛凌（Infineon）再次推陳出新，推出一批創(chuàng)新型的CoolSiC? MOSFET模塊，共包含12個不同型號的EasyPACK?和EasyDUAL? 1B以及2B。這些模塊采用了CoolSiC? MOSFET增強型1代技術(shù)，廣泛適用于電動汽車充電、UPS（不間斷電源）、光伏以及儲能等多個領(lǐng)域。

新一代產(chǎn)品的亮點

這次上市的模塊集成了PressFIT壓接技術(shù)，并配備了NTC溫度檢測功能，提供了兩種版本的Al2O3和AlN DCB。其中，帶有"P"標(biāo)記的型號還搭載了預(yù)涂的TIM（熱導(dǎo)材料），進一步提升了散熱性能。

產(chǎn)品型號一覽

以下是其中一些突出的產(chǎn)品型號：

- F4-8MR12W2M1H_B70：8毫歐 H橋 AlN DCB

- F4-11MR12W2M1HP_B76：11毫歐 H橋 TIM

- FF11MR12W2M1HP_B11：11毫歐 半橋 TIM

- FS13MR12W2M1H_C55：13毫歐 三相橋 AIN DCB

產(chǎn)品特點及應(yīng)用價值

這些CoolSiC? MOSFET模塊的特點包括：

- 1200V CoolSiC? MOSFET

- Easy1B，Easy2B封裝

- 非常低的模塊寄生電感

- RBSOA反向工作安全區(qū)寬

- 柵極驅(qū)動電壓窗口大

- PressFIT引腳

這些特點為模塊提供了更高的可靠性和穩(wěn)定性。同時，產(chǎn)品的應(yīng)用價值體現(xiàn)在其擴展的柵源電壓最大值、在過載條件下可達的最高溫度（Tvjop最高可達175°C），以及優(yōu)越的性價比，有望降低系統(tǒng)成本。此外，這些模塊還支持高開關(guān)頻率，從而改善對冷卻系統(tǒng)的要求。

競爭優(yōu)勢與廣泛應(yīng)用

這一系列CoolSiC? MOSFET模塊為市場提供了完整的半橋SiC模塊產(chǎn)品組合，其中包括標(biāo)準(zhǔn)Al2O3 DCB和低熱阻高性能AIN DCB。這使得英飛凌在不同應(yīng)用場景中都能提供最優(yōu)解決方案，包括電動汽車充電、儲能系統(tǒng)、光伏和UPS等領(lǐng)域。

這一系列模塊的推出，標(biāo)志著英飛凌在推動電力解決方案創(chuàng)新方面邁出了堅實的一步。其卓越的性能和多功能特點將為未來電動交通和能源存儲領(lǐng)域的發(fā)展注入更多動力。如需采購芯片、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。