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東芝推出新一代碳化硅MOSFET，降低開關(guān)損耗，提高設(shè)備效率

來源：中芯巨能| 發(fā)布日期：2023-09-01 10:00:01 瀏覽量：

東芝在8月31日宣布推出一款新的碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品系列，名為“TWxxxZxxxC系列”，旨在支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。這一系列產(chǎn)品包括五款額定電壓為650V和五款額定電壓為1200V的型號，全部將于今日開始批量出貨。這些產(chǎn)品采用了東芝最新的第3代碳化硅MOSFET芯片，并采用了4引腳TO-247-4L(X)封裝，以降低開關(guān)損耗。

新型TWxxxZxxxC系列的封裝支持柵極驅(qū)動信號源極端使用開爾文連接，這有助于減少封裝內(nèi)源極線電感的影響，從而提高高速開關(guān)性能。與東芝目前采用3引腳TO-247封裝的產(chǎn)品相比，新型TWxxxZxxxC系列的開通損耗降低了約40%，關(guān)斷損耗降低了約34%。這一改善將有助于降低設(shè)備功率損耗，提高設(shè)備的效率。

東芝推出新一代碳化硅MOSFET

東芝還在其官網(wǎng)上發(fā)布了使用新型SiC MOSFET的3相逆變器參考設(shè)計，以幫助用戶在應(yīng)用中更好地使用這一新產(chǎn)品。東芝表示，他們將繼續(xù)擴大自身產(chǎn)品線，以進一步適應(yīng)市場趨勢，并幫助用戶提高設(shè)備效率和擴大功率容量。

使用新型SiC MOSFET的3相逆變器

使用新型SiC MOSFET的3相逆變器

簡易方框圖

這款新型SiC MOSFET可以應(yīng)用于多個領(lǐng)域，包括開關(guān)電源（如服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等）、電動汽車充電站、光伏變頻器和不間斷電源（UPS）等。該產(chǎn)品具有以下特點：采用4引腳TO-247-4L(X)封裝，柵極驅(qū)動信號源極端使用開爾文連接，可降低開關(guān)損耗；采用第3代碳化硅MOSFET技術(shù)；具有低漏源導(dǎo)通電阻和低二極管正向電壓等特性。

東芝的新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列將為工業(yè)設(shè)備應(yīng)用帶來更高的效率和更低的功率損耗，助力推動工業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展和進步。


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