aMOS? FRD技術(shù):優(yōu)化超結(jié)MOSFET體二極管反向恢復(fù)性能
“超結(jié)”(Super Junction, SJ)結(jié)構(gòu)因其在600 V及以上電壓等級(jí)中實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻(RDS(on))與高擊穿電壓的優(yōu)異平衡,長(zhǎng)期主導(dǎo)高壓功率MOSFET市場(chǎng)。然而,其延伸至漂移區(qū)的P柱結(jié)構(gòu)導(dǎo)致寄生體二極管(FRD)具有較高的反向恢復(fù)電荷(Qrr),在硬開(kāi)關(guān)或異常工況下...