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N溝MOS管接電源正負極連接指南
發(fā)布時間：2024-06-27
N溝MOS管（N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常用的半導體器件，用于控制和放大電流。在應用中，正確連接電源正負極至N溝MOS管是至關重要的。MOS管供應商-中芯巨能將介紹N溝MOS管如何接電源正負極，以確保器件...
IAR與矽力杰共同助力中國汽車行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展
發(fā)布時間：2024-06-27
2024年6月26日，中國上海——全球領先的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)軟件解決方案供應商IAR與矽力杰半導體宣布，最新版本IAR Embedded Workbench for Arm 全面支持矽力杰SA32BXX車規(guī)ASIL-B MCU，助力中國汽車行業(yè)開發(fā)者的創(chuàng)新研發(fā)。作為模擬和數(shù)字半導體領先...
MOS場效應管在可變電阻區(qū),漏源電阻RDS受誰控制
發(fā)布時間：2024-06-27
在MOS場效應管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的工作中，一個重要參數(shù)是漏源電阻（RDS）。特別是在MOS管處于可變電阻區(qū)時，RDS的大小對其性能和特性起著關鍵作用。那么在可變電阻區(qū)，MOS場效應管的漏源電阻受誰控制呢？這是一個值...
探究MOS管和BJT內(nèi)部的極間電容
發(fā)布時間：2024-06-27
當談及半導體器件中的極間電容時，MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）和BJT（Bipolar Junction Transistor）是兩種常見且重要的器件類型。這些器件內(nèi)部包含不同類型的極間電容，影響著其性能和特性。MOS管供應商-中芯巨能將...
探究半導體的oVL測量技術
發(fā)布時間：2024-06-26
隨著科學技術的不斷發(fā)展，半導體材料在電子行業(yè)中扮演著越來越重要的角色。為了確保半導體器件的生產(chǎn)質量和性能，常常需要對其進行精密的測量和分析。其中，oVL（overlay）測量技術作為一項重要的半導體測量技術，在半導體生產(chǎn)領域中發(fā)揮著關鍵的作用...
二極管伏安特性曲線在何種條件下可以線性應用？
發(fā)布時間：2024-06-26
二極管是最常用的半導體器件之一，廣泛應用于電子電路中。它具有非線性的伏安特性曲線，即電壓和電流之間的關系并非簡單的線性關系。然而，在某些特定條件下，二極管的伏安特性曲線可以被近似地看作是線性的，從而可以線性應用。本文將探討二極管伏...
愛普生IMU產(chǎn)品助力激光雷達測繪領域的技術創(chuàng)新
發(fā)布時間：2024-06-26
在雷達技術快速發(fā)展的今天，激光雷達測繪技術成為備受關注的領域。該技術融合了激光測距系統(tǒng)、全球定位系統(tǒng)（GPS）和慣性導航系統(tǒng)三種技術，其中激光雷達采用激光掃描反射物體，并結合慣性測量單元（IMU）精確測量出激光雷達自身姿態(tài)數(shù)據(jù)，從而實時獲取高...
逆變電路中三極管接電容的作用及選取方法
發(fā)布時間：2024-06-26
逆變電路是一種廣泛應用于電源供應和變頻調速系統(tǒng)中的重要電路。在逆變電路中，三極管扮演著關鍵的角色，常常需要連接電容器以實現(xiàn)特定功能。本文將介紹逆變電路中三極管接電容的作用以及選取方法。首先，讓我們來了解一下逆變電路中三極管接電...
長春理工大學與武漢芯源半導體共建CW32嵌入式創(chuàng)新實驗室
發(fā)布時間：2024-06-26
2024年6月20日上午，長春理工大學與武漢芯源半導體攜手舉辦了“CW32嵌入式創(chuàng)新實驗室”揭牌儀式，為兩方合作開啟了嶄新的篇章。揭幕儀式現(xiàn)場熱鬧非凡，學術界、產(chǎn)業(yè)界、學生代表齊聚一堂，共同見證了這一重要時刻。長春理工大學電子信息工程學院...
2024慕尼黑上海電子展：STM32前沿解決方案將精彩亮相
發(fā)布時間：2024-06-26
2024年7月8-10日，在上海新國際博覽中心舉辦的慕尼黑上海電子展（electronica China）即將啟幕。本次展會將成為技術專家、企業(yè)和參觀者們探索前沿解決方案的盛會。ST公司將攜智能工業(yè)和個人電子產(chǎn)品領域的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案亮相，并將呈現(xiàn)三場精...
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