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USB C型PD適配器和快速充電器交互式框圖及意法半導(dǎo)體芯片推薦
發(fā)布時間：2024-02-16
外形纖細(xì)且正反可插的新型USB Type-C? 連接器具備USB電力傳輸（PD）功能，可以提供100 W（20 V，5 A）功率，支持實現(xiàn)更快、更高效的充電解決方案。這些連接器大大擴(kuò)展了USB設(shè)備的功能，現(xiàn)在廣泛應(yīng)用于壁式充電器和適配器。 意法半導(dǎo)體代理商為您提供USB ...
EVLSTCH03-45WPD評估套件:USB-PD協(xié)議下的高效隔離式AC/DC電池充電器解決方案
發(fā)布時間：2024-02-15
EVLSTCH03-45WPD評估套件是意法半導(dǎo)體一個完整的解決方案，旨在實現(xiàn)隔離式AC/DC電池充電器在USB-PD協(xié)議下的運行。該套件包含所有必要的組件，并提供了專用文檔中的板說明和報告。評估套件需要連接至交流電源，因此僅適合熟練人員使用。同時，板必...
Microchip多電機(jī)編碼器 FOC 演示應(yīng)用
發(fā)布時間：2024-02-15
Microchip品牌代理為您提供Microchip多電機(jī)編碼器設(shè)計優(yōu)點、解決方案圖和物料清單。Microchip多電機(jī)編碼器設(shè)計優(yōu)點：1、PIC32MK MCM 多電機(jī)控制解決方案演示了如何使用 PIC32MK MCM 驅(qū)動最多三個電機(jī)。該解決方案包括一個硬件平臺和多個 MP...
Microchip并網(wǎng)太陽能微型逆變器參考設(shè)計
發(fā)布時間：2024-02-15
Microchip 的并網(wǎng)太陽能微型逆變器參考設(shè)計展示了并網(wǎng)太陽能微型逆變器系統(tǒng)中 SMPS dsPIC? 數(shù)字信號控制器的靈活性和強大功能。該參考設(shè)計的最大輸出功率為 215 瓦，并確保對 20V 至 45V DC 之間的光伏電池板電壓進(jìn)行最大功率點跟蹤。通過...
MSC050SDA120：1200V 碳化硅 (SiC) 肖特基勢壘二極管 (SBD)
發(fā)布時間：2024-02-15
MSC050SDA120 是Microchip微芯最新的 SiC 肖特基勢壘二極管 (SBD) 器件系列的一部分。Microchip 的 SiC 解決方案專注于高性能，有助于最大限度地提高系統(tǒng)效率并最大限度地減少系統(tǒng)重量和尺寸。Microchip 久經(jīng)考驗的 SiC 可靠性還確保終端設(shè)...
均衡電路的作用與應(yīng)用
發(fā)布時間：2024-02-15
均衡電路是電子領(lǐng)域中常用的一種電路設(shè)計，其作用是在信號傳輸中消除干擾和提高信號質(zhì)量。在各種應(yīng)用場景中，均衡電路發(fā)揮著重要的作用，無論是在音頻系統(tǒng)、通信設(shè)備還是數(shù)據(jù)傳輸中，均衡電路都被廣泛應(yīng)用。電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商-中芯巨能將介紹...
STCH03離線PWM控制器評估板——高效能USB適配器解決方案
發(fā)布時間：2024-02-14
STMicroelectronics的STEVAL-SMACH15V1 USB適配器評估板基于STCH03離線PWM控制器，專為低待機(jī)功率適配器設(shè)計。該控制器結(jié)合了高性能低壓PWM控制器芯片和650 V HV啟動單元，提供恒定輸出電流調(diào)節(jié)（CC）。此外，它還具有極低的靜態(tài)電流和突發(fā)模式管理...
優(yōu)化SiC MOSFET驅(qū)動：探索EiceDRIVER? IC的應(yīng)用之道
發(fā)布時間：2024-02-14
隨著碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）在功率電子領(lǐng)域的嶄露頭角，如何更好地驅(qū)動這一先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件成為工程師們關(guān)注的焦點。EiceDRIVER? IC作為一種專門設(shè)計用于驅(qū)動MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體的集成電路，為優(yōu)化SiC MOS...
SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)：超越傳統(tǒng)晶體管的性能突破
發(fā)布時間：2024-02-14
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，其性能優(yōu)越性受到了廣泛關(guān)注。然而，在SiC MOSFET的設(shè)計和應(yīng)用中，一個重要而復(fù)雜的問題是短溝道效應(yīng)。電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商-中芯巨能將...
高性能逆變焊機(jī)設(shè)計要點：采用SiC MOSFET的新技術(shù)突破
發(fā)布時間：2024-02-14
逆變焊機(jī)作為現(xiàn)代焊接技術(shù)的關(guān)鍵組成部分，其性能和效率對焊接質(zhì)量至關(guān)重要。近年來，采用碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）的高性能逆變焊機(jī)逐漸嶄露頭角。電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商-中芯巨能將介紹在設(shè)計這類逆變焊機(jī)時需要關(guān)注的...
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