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Vishay 推出新型車規(guī)級表面貼裝厚膜功率電阻器 D2TO35M
發(fā)布時間:2024-11-29
Vishay 近日宣布推出一款采用 TO-263(D2PAK)封裝的新型車規(guī)級表面貼裝厚膜功率電阻器——Vishay Sfernice D2TO35M。這款電阻器通過了 AEC-Q200 認證,具有出色的多脈沖處理能力,在 25 °C 殼溫下功率耗散可達 35 W,適用于各種汽車應(yīng)用。性能優(yōu)...
瑞薩RA8T1微控制器系列榮獲“2024年度電機控制器十大主控芯片”獎項
發(fā)布時間:2024-11-29
近日,由電子發(fā)燒友主辦的“2024年第五屆電機控制技術(shù)市場表現(xiàn)獎”年度評選活動在深圳圓滿舉行。瑞薩電子的RA8T1微控制器系列憑借其卓越的性能表現(xiàn),在眾多參選產(chǎn)品中脫穎而出,榮獲“2024年度電機控制器十大主控芯片”獎項。瑞薩電子嵌入式處...
瑞薩電子與國軒高科達成深度合作,共同推動新能源汽車智能化發(fā)展
發(fā)布時間:2024-11-29
近日,瑞薩電子與國軒高科動力能源正式簽訂合作伙伴協(xié)議,進一步深化雙方在電池管理系統(tǒng)(BMS)領(lǐng)域的合作。此次協(xié)議的簽署不僅是對過去合作成果的肯定,更是對未來發(fā)展方向的一次深刻洞察和前瞻布局。簽約儀式簽約儀式上,國軒高科高級副總裁程騫和...
英飛凌第二代CoolSiC? 34mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝新品發(fā)布
發(fā)布時間:2024-11-29
英飛凌科技公司推出了采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiC? G2 1200V MOSFET系列。這一新產(chǎn)品系列在第一代技術(shù)的基礎(chǔ)上進行了顯著改進,旨在加快系統(tǒng)設(shè)計的成本優(yōu)化,實現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計和可靠性。產(chǎn)品概述第二代CoolSiC? G2 1200V...
明微電子SM16380和SM5368PF驅(qū)動芯片助力韓國仁川INSPIRE度假城極光道
發(fā)布時間:2024-11-29
2024年,韓國仁川迎來了一家超大型新世代娛樂度假城——INSPIRE。該度假城不僅集合了各種頂尖的娛樂度假體驗,更是韓國娛樂文化的夢幻勝地。其中,最引人注目的莫過于巨型LED天花板“極光道”,它為游客帶來了一場視覺與聽覺的雙重震撼體驗。極光...
川土微電子CA-IS3720HS雙通道標準數(shù)字隔離器技術(shù)參數(shù)及引腳圖
發(fā)布時間:2024-11-29
CA-IS3720HS是川土微電子的一款高性能的雙通道標準數(shù)字隔離器,旨在滿足現(xiàn)代工業(yè)和汽車電子系統(tǒng)的嚴格要求。該器件擁有精確的時序特性和低電源損耗,適用于需要高可靠性和長使用壽命的應(yīng)用場景。CA-IS372x系列中的CA-IS3720HS特別設(shè)計用于隔...
?安森美NCV75215超聲波傳感器:引領(lǐng)泊車輔助和自動駕駛技術(shù)
發(fā)布時間:2024-11-28
自2007年以來,安森美一直是向各大汽車主機廠提供泊車輔助和自動駕駛專用超聲波傳感器接口的市場領(lǐng)導者。安森美的NCV75215超聲波傳感器與壓電超聲波換能器和一些附加電路相結(jié)合,可以提供基于飛行時間(ToF)的距離測量。產(chǎn)品優(yōu)勢該系統(tǒng)的優(yōu)勢在...
英飛凌推出 CoolSiC? MOSFET 650V G2,7mΩ,采用TO247和TO247-4封裝
發(fā)布時間:2024-11-28
英飛凌科技近日宣布推出全新的 CoolSiC? MOSFET 650V G2,其導通電阻僅為7mΩ,采用TO-247和TO-247-4 4引腳封裝。這款產(chǎn)品以第1代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ),加快了系統(tǒng)設(shè)計的成本優(yōu)化,實現(xiàn)高效、緊湊和可靠解決方案。CoolSiC? MOSFET 第2代在硬開關(guān)工...
瑞薩電子推出面向第二代DDR5 MRDIMM的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案
發(fā)布時間:2024-11-28
全球半導體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM)的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。隨著人工智能(AI)、高性能計算(HPC)和其他數(shù)據(jù)中心應(yīng)用對內(nèi)存帶寬的要求不斷提高,新的DDR5 MRDIMM應(yīng)運而生,...
Vishay 推出全新 150 V TrenchFET? Gen V N 溝道功率 MOSFET
發(fā)布時間:2024-11-28
Vishay 宣布推出采用 PowerPAK? SO-8S(QFN 6 x 5)封裝的全新 150 V TrenchFET? Gen V N 溝道功率 MOSFET,旨在提高通信、工業(yè)和計算應(yīng)用領(lǐng)域的效率和功率密度。與上一代采用 PowerPAK SO-8 封裝的器件相比,Vishay Siliconix SiRS5700DP 的總...
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