IAUCN10S7L180 （訂購料號：IAUCN10S7L180ATMA1）是英飛凌基于OptiMOS? 7技術平臺推出的100V N溝道功率MOSFET，采用5×6 mm2 SSO8（Power-SO8）表面貼裝封裝，專為高可靠性汽車應用設計。該器件在導通損耗、開關性能與封裝魯棒性之間實現(xiàn)優(yōu)化平衡，適用于LED大燈、汽油直噴、48V系統(tǒng)電機控制等高功率密度場景。英飛凌代理授權-中芯巨能為您介紹IAUCN10S7L180 技術參數(shù)詳解，附引腳圖。

IAUCN10S7L180 技術參數(shù)詳解

核心電氣特性

器件典型導通電阻RDS(on)低至1.8mΩ（@VGS=10V），顯著降低傳導損耗，提升系統(tǒng)效率。其優(yōu)值系數(shù)（FOM = RDS(on) × Qg）達到行業(yè)領先水平，Qg（總柵極電荷）僅為87nC（@VGS=10V），支持高頻開關應用。快速開關時間（ton/toff < 100ns）減少開關損耗，適用于硬開關與同步整流拓撲。

雪崩與SOA性能

具備高單脈沖雪崩能量（EAS）與重復雪崩能力，滿足汽車負載突降（Load Dump）與感性負載關斷等嚴苛工況。寬安全工作區(qū)（SOA）確保在短時過載、并聯(lián)運行或高溫環(huán)境下仍具備高可靠性。

封裝與熱設計

SSO8封裝集成低寄生電感與電阻設計，優(yōu)化dI/dt與dV/dt抗擾度。獨特的“熔斷源極”（Fused-Source）引腳結構提升焊接可靠性，降低熱循環(huán)應力導致的焊點開裂風險。結至外殼熱阻RthJC低至0.7 K/W，支持高效散熱設計。器件符合MSL1等級，可承受高達260°C峰值回流焊溫度，適用于無鉛焊接工藝。

汽車級可靠性

通過AEC-Q101認證，并實施超出標準的增強型電氣測試（Enhanced Test Flow），包括高溫柵極漏電、動態(tài)RDS(on)監(jiān)測等，確保批量生產一致性。嚴格的閾值電壓VGS(th)控制（典型值3.0V，范圍2.5–3.5V）提升并聯(lián)應用的均流性能。

IAUCN10S7L180關鍵應用

48V系統(tǒng)：適用于48V→12V DC/DC轉換器、48V水泵、風扇及輕混電機控制器，支持高效率與高功率密度設計。

LED大燈：作為升壓或SEPIC拓撲中的主開關管，實現(xiàn)高亮度與快速調光響應。

汽油直噴：用于驅動高壓噴油器，滿足快速開啟/關閉與高脈沖電流需求。

IAUCN10S7L180設計優(yōu)勢

高功率密度：在5×6 mm2封裝內實現(xiàn)180A連續(xù)漏極電流（TC=25°C），支持緊湊型PCB布局。

并聯(lián)友好：低RDS(on)溫漂與嚴格VGS(th)分布，便于多管并聯(lián)擴展電流能力。

系統(tǒng)堅固性：高SOA與雪崩能力降低外部保護電路復雜度，提升整體系統(tǒng)可靠性。

IAUCN10S7L180引腳圖

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