IGL65R080D2是英飛凌一款基于CoolGaN? G5技術的650V增強型（e-mode）氮化鎵（GaN）功率晶體管，專為高頻率、高效率電源轉換應用設計。作為符合JEDEC可靠性標準（JESD47、JESD22）的高性能器件，該產品在開關性能、熱管理與系統魯棒性方面表現卓越，適用于對尺寸、效率和功率密度要求嚴苛的現代電源系統。來自全球授權的英飛凌代理商、原廠貨源-深圳市中芯巨能電子有限公司為您提供IGL65R080D2：參數規(guī)格、引腳圖及現貨。

IGL65R080D2參數規(guī)格詳解

核心電氣特性

IGL65R080D2具備出色的動態(tài)參數，顯著降低開關損耗，提升高頻工作下的整體效率：

低導通電阻：典型RDS(on)為80mΩ，減少傳導損耗；

超低寄生電荷：低柵極電荷（Qg）和低輸出電荷（Qoss），縮短開關時間，支持MHz級開關頻率；

無反向恢復電荷（Qrr = 0）：得益于GaN材料特性，體二極管無反向恢復電流，消除關斷尖峰和相關損耗，簡化死區(qū)時間設計；

可反向導通：支持雙向電流流動，適用于圖騰柱PFC等先進拓撲；

低動態(tài)RDS(on)：在高頻硬開關條件下仍保持穩(wěn)定的導通特性，避免傳統GaN器件常見的“current collapse”效應。

此外，器件具備卓越的換向堅固性（commutation ruggedness），在高dV/dt環(huán)境下可靠運行，適用于LLC、軟開關及諧振變換器架構。

封裝與熱設計

采用底部冷卻ThinPAK封裝，該封裝具有以下優(yōu)勢：

熱路徑直接從芯片底部傳導至PCB，實現高效散熱；

封裝高度僅約1mm，適合超薄設計，如USB-C充電器、筆記本適配器等消費類應用；

引腳布局優(yōu)化，減小寄生電感，提升開關速度并降低EMI風險；

符合JEDEC標準，確保長期可靠性與量產一致性。

該封裝無需額外絕緣墊片即可實現良好熱耦合，簡化散熱設計，尤其適用于多管并聯或高功率密度布局。

可靠性與保護特性

高ESD耐受能力：2kV HBM（人體模型）和1kV CDM（器件充電模型），增強生產與現場操作中的抗靜電能力；

基于英飛凌成熟的CoolGaN? G5工藝平臺，通過嚴格的質量認證，確保高溫高壓下的長期穩(wěn)定性；

器件經過完整熱循環(huán)與HTGB（High Temperature Gate Bias）測試，滿足工業(yè)與數據中心級應用要求。

IGL65R080D2典型應用場景

USB-C PD適配器與快充：支持65W及以上高功率密度設計，實現小型化、高效能充電解決方案；

數據中心與AI服務器電源：用于48V中間母線轉換、VRM前端AC-DC模塊，提升能效，降低散熱需求；

電信基礎設施電源：在AC-DC整流與DC-DC前級中替代硅基MOSFET，提高系統效率與功率密度；

工業(yè)電源與高端計算設備：適用于高可靠性、高效率電源模塊設計。

IGL65R080D2引腳圖

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