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NCP5181DR2G是一款高電壓功率Mosfet 驅(qū)動(dòng)器,提供兩種輸出,用于半橋配置(或任何其他高壓側(cè)+ 低壓側(cè)配置)的2 個(gè)N 溝道功率MOSFET 的直接驅(qū)動(dòng)。它使用自舉技術(shù)來(lái)確保高壓側(cè)電源開(kāi)關(guān)的正確驅(qū)動(dòng)。該驅(qū)動(dòng)器使用2 個(gè)獨(dú)立輸入可適應(yīng)任何拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(包括半橋、不對(duì)稱(chēng)半橋、有源鉗位和全橋)。代理銷(xiāo)售onsemi(安森美)旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您提供NCP5181DR2G產(chǎn)品中文介紹。
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高電壓范圍:高達(dá) 600 V
dV/dt 抗擾度 50 V/nsec
柵極驅(qū)動(dòng)電源范圍為 10V 至 20V
高和低 DRV 輸出
輸出源/灌電流能力 1.1 A / 2.4 A
3.3V 和 5V 輸入邏輯兼容
輸入引腳上高達(dá) Vcc 的擺幅
兩個(gè)通道之間匹配的傳播延遲
輸出與輸入同相
獨(dú)立邏輯輸入可適應(yīng)所有拓?fù)?/p>
兩個(gè)通道均處于 VCC 鎖定 (UVLO) 狀態(tài)
與 IR2181(S) 引腳對(duì)引腳兼容
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用于 UPS 系統(tǒng)的橋式逆變器
高功率能源管理
半橋電源轉(zhuǎn)換器
全橋轉(zhuǎn)換器
任何互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換器(非對(duì)稱(chēng)半橋、有源鉗位)
如需產(chǎn)品規(guī)格書(shū)、樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求,請(qǐng)加客服微信:13310830171。