NSV40302PDR2G是ON Semiconductor（安森美）一款雙NPN中等功率晶體管，采用SOIC-8（NB）封裝，專為高密度、高可靠性應用設計。該器件將兩個獨立的NPN晶體管集成于單一封裝內，適用于電源管理、電機驅動、LED驅動和開關應用，特別適合空間受限的電路板布局。

封裝與引腳配置

器件采用8引腳SOIC-8 NB封裝（CASE 751-07），尺寸為5.00mm × 3.80mm × 1.75mm（最大），引腳間距1.27mm，符合工業(yè)標準，便于自動化貼裝。引腳1至4對應第一個晶體管，引腳5至8對應第二個晶體管，共享封裝內部熱路徑，確保兩個器件溫度特性一致。

極限參數(shù)與熱性能

電壓額定值：集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CEO為40V，集電極-基極V(BR)CBO為40V，發(fā)射極-基極V(BR)EBO為6V。

電流能力：連續(xù)集電極電流IC最大2A，脈沖電流更高。

工作溫度：結溫和存儲溫度范圍為-55°C至+150°C。

熱阻特性：熱阻RθJA（結到環(huán)境）隨PCB銅箔面積顯著變化：

10mm2、1oz銅（靜止空氣）：217°C/W

100mm2、1oz銅（靜止空氣）：185°C/W

雙器件加熱（總功率）：191°C/W（10mm2）或160°C/W（100mm2） 建議在100mm2銅箔上使用以優(yōu)化散熱。

直流與開關特性

電流增益（hFE）：在VCE=2V條件下，IC=10mA時hFE最小200；IC=500mA時最小200；IC=1A時最小180；IC=2A時最小180。典型值在320至400之間，提供高增益和穩(wěn)定放大能力。

飽和壓降：

VCE(sat)：IC=1A、IB=0.1A時，典型值44mV，最大60mV；IC=2A、IB=0.2A時，典型值82mV，最大115mV。

VBE(sat)：IC=1A、IB=0.01A時，典型值780mV，最大900mV。

開關速度：在VCC=30V、IC=750mA、IB1=15mA條件下：

開通延遲td：≤100ns

上升時間tr：≤100ns

存儲時間ts：≤780ns

關斷延遲tf：≤110ns 快速開關特性適用于高頻PWM控制。

其他關鍵參數(shù)

截止頻率（fT）：IC=100mA、VCE=5V時，最小100MHz，支持中高頻應用。

漏電流：VCB=40V時，ICBO≤0.1μA；VEB=6V時，IEBO≤0.1μA，確保低靜態(tài)功耗。

電容：f=1MHz時，輸入電容Cibo典型值320pF（最大450pF），輸出電容Cobo典型值40pF（最大50pF）。

NSV40302PDR2G引腳圖

應用設計要點

并聯(lián)使用：雙晶體管可并聯(lián)以提升電流能力，但需注意均流和熱耦合。

基極驅動：需提供足夠基極電流（IB ≥ IC / hFE）確保飽和，避免工作在線性區(qū)導致過熱。

PCB布局：建議使用100mm2以上銅箔散熱，優(yōu)化熱性能。避免高阻抗基極走線，防止振蕩。

安全工作區(qū)（SOA）：參考數(shù)據(jù)手冊SOA曲線，確保瞬態(tài)電壓電流不超出安全范圍，尤其在感性負載開關時。

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