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AOS的MRigidCSP技術(shù)專為高效便攜設(shè)備電池管理設(shè)計(jì)

來源:Alpha and Omega Semiconductor| 發(fā)布日期:2023-10-11 11:45:15 瀏覽量:

在如今便攜式設(shè)備繁榮發(fā)展的時(shí)代,如何制造出更為小巧、高性能以及更為安全的設(shè)備,成為了擺在各大廠商面前的難題。而這個(gè)問題的答案,或許就隱藏在Alpha and Omega Semiconductor(AOS)的最新技術(shù)——MRigidCSP之中。

AOS的MRigidCSP技術(shù)專為高效便攜設(shè)備電池管理設(shè)計(jì)

AOS的MRigidCSP技術(shù)是一種專為電池管理應(yīng)用而生的創(chuàng)新技術(shù),主要應(yīng)用于AOCR33105E這款產(chǎn)品上。AOCR33105E是一款12V共漏極雙N溝道MOSFET,其獨(dú)特的緊湊型設(shè)計(jì)(2.08×1.45mm)和超低的導(dǎo)通電阻(VGS=3.8V時(shí)低至2.5mΩ)使其在電池管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色。更為值得一提的是,它還具有HBM class 2(2kV)的超強(qiáng)ESD保護(hù)特性,能夠在嚴(yán)苛的環(huán)境中保持穩(wěn)定的性能。

與傳統(tǒng)晶圓級(jí)芯片封裝不同,MRigidCSP技術(shù)將機(jī)械應(yīng)力和電氣特性兩種性能分開來考慮,使得兩者都同時(shí)達(dá)到最優(yōu)的性能。AOS MOSFET 產(chǎn)品線資深市場(chǎng)總監(jiān)Peter Wilson在接受采訪時(shí)表示:“AOS的MRigidCSP技術(shù)是一種面向鋰電池應(yīng)用管理的雙向MOSFET創(chuàng)新型技術(shù),適用于智能手機(jī)、平板電腦和超薄筆記本電腦等移動(dòng)設(shè)備。”

AOS的MRigidCSP技術(shù)采用了薄晶圓工藝,降低了共漏MOSFET的寄生電阻,從而提高了充電速度,減少了額外熱量的產(chǎn)生,避免了損壞電池和其他元件。這種封裝技術(shù)滿足了快速充電的應(yīng)用中對(duì)于輕量化、高性能、雙向MOSFET的持續(xù)增長的需求,將機(jī)械應(yīng)力性能與電氣性能分離,從而獲得最好的效果。

在手機(jī)和筆記本電腦等消費(fèi)電子體系中,保護(hù)電路模塊(PCM)作為關(guān)鍵組件被用于管理鋰離子電池組的充電和放電。PCM由電池保護(hù)IC、功率MOSFET等其他電子元件組成。在PCM中采用了兩個(gè)功率MOSFET:一個(gè)用于充電,另一個(gè)用于放電。出于降低導(dǎo)通電阻的考慮,這些MOSFET通常選用N溝道MOSFET。兩個(gè)MOSFET可以兩種方式串聯(lián):

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配置1:兩個(gè)MOSFET的漏極相連

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配置2:兩個(gè)MOSFET的源極相連

PCM 提供兩種功率MOSFET與電池串聯(lián)的選擇:

低端放置:功率MOSFETs位于電池的負(fù)極,通常稱為“電線接地端”。優(yōu)缺點(diǎn)兼具,取決于實(shí)際系統(tǒng)要求。

高端放置:功率MOSFETs位于電池的正極,這稱為“高邊”配置。優(yōu)缺點(diǎn)兼具,取決于實(shí)際系統(tǒng)要求不同的功率MOSFET背靠背連接模式以及布局方式的選擇,需要根據(jù)系統(tǒng)的具體要求而決定,系統(tǒng)設(shè)計(jì)、安全考慮和能效目標(biāo)等因素都將影響設(shè)計(jì)方案。總之,PCM是確保消費(fèi)電子產(chǎn)品中鋰離子電池組正常工作并提供保護(hù)的關(guān)鍵部件。

在便攜式設(shè)備中,電池管理是一個(gè)重要的環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)的 WLCSP會(huì)產(chǎn)生較大電阻,尤其是在使用背靠背 MOSFET時(shí)。單純?yōu)榻档碗娮瓒鴾p小襯底厚度可能會(huì)影響機(jī)械強(qiáng)度,從而PCB組裝回流焊過程中產(chǎn)生問題。AOS 的MRigidCSP技術(shù)專門面向這類問題設(shè)計(jì),可同時(shí)提高電氣性能和封裝魯棒性。它兼容高深寬比 CSP裸片,解決了與電池管理應(yīng)用相關(guān)的生產(chǎn)問題。AOCR33105E 采用最新溝槽功率MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì),這種先進(jìn)的封裝結(jié)構(gòu)可確保高強(qiáng)度的電池 MOSFET 在電路板制造過程中保持一定彈性,從而提高性能及可靠性。

通過采用薄晶圓工藝,MRigidCSP降低了共漏MOSFET的寄生電阻。電阻的降低不僅能提高充電速度,還能確保MOSFET產(chǎn)生更少額外熱量,從而避免損壞電池和其他元件。較低的電阻可延長電池在兩次充電之間的續(xù)航時(shí)間,這對(duì)消費(fèi)者來說是一個(gè)極大的福音。因此,AOS的MRigidCSP技術(shù)無疑為便攜式設(shè)備的電池管理提供了一種高效、安全的解決方案。


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