在人工智能算力需求呈指數(shù)級增長的背景下，數(shù)據(jù)中心正迎來一場由供電架構(gòu)驅(qū)動的深層變革。近日，知名功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，納斯達克代碼：AOSL）宣布，其全線碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）及電源IC解決方案，已全面支持NVIDIA最新發(fā)布的800V直流（800VDC）供電架構(gòu)，為下一代AI數(shù)據(jù)中心提供高效、高密度的能源基石。

傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心多采用48V或54V低壓直流供電，面臨轉(zhuǎn)換效率低、銅纜損耗高、散熱壓力大等瓶頸。而NVIDIA推出的800VDC架構(gòu)，通過將配電電壓提升至800V，顯著減少電流傳輸過程中的I2R損耗，降低對銅材的依賴，并簡化電力轉(zhuǎn)換層級。這一范式轉(zhuǎn)變要求功率半導(dǎo)體具備更高的耐壓能力、更低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，以及更強的熱管理性能。

AOS憑借在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積累，提供了覆蓋全鏈路的功率解決方案。在高壓交流到直流的初始轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)，AOS的碳化硅MOSFET（如AOM020V120X3和頂部散熱型AOGT020V120X2Q）憑借其1200V耐壓、低Qg和低Rds(on)特性，適用于“邊柜供電”（Sidecar）和“單極直接轉(zhuǎn)換”（SST）兩種創(chuàng)新拓?fù)洌蓪?3.8kV交流電高效轉(zhuǎn)換為800V直流，大幅提升系統(tǒng)整體能效。

在機柜內(nèi)部，800V直流需進一步降壓至GPU等AI芯片所需的12V或更低電壓。AOS推出的650V和100V氮化鎵器件（如AOGT035V65GA1和AOFG018V10GA1）憑借其超高的電子遷移率和開關(guān)頻率，支持更高頻率的DC-DC轉(zhuǎn)換，從而縮小磁性元件和電容體積，實現(xiàn)更高的功率密度。這不僅釋放了寶貴的機柜空間用于部署更多計算單元，也提升了散熱效率。

此外，AOS的創(chuàng)新堆疊式MOSFET（如AOPL68801）和共封裝GaN方案，為LLC諧振轉(zhuǎn)換器次級側(cè)和54V-12V母線轉(zhuǎn)換提供了靈活的能效與成本平衡選擇。其80V/100V堆疊封裝技術(shù)顯著提升了單位面積的功率輸出能力。

針對多相降壓需求，AOS還提供支持16相輸出的高性能多相控制器，確保為AI SoC提供穩(wěn)定、精準(zhǔn)的供電，優(yōu)化動態(tài)響應(yīng)與能效表現(xiàn)。

據(jù)AOS電源IC及分立器件產(chǎn)品線資深副總裁Ralph Monteiro介紹，這些技術(shù)協(xié)同作用，可幫助800VDC系統(tǒng)實現(xiàn)高達5%的端到端能效提升，減少45%的銅材使用，并顯著降低冷卻與維護成本。

此次與NVIDIA的深度合作，標(biāo)志著AOS在高端數(shù)據(jù)中心市場的關(guān)鍵布局。隨著AI工廠的規(guī)模化部署，高效、可靠的功率半導(dǎo)體將成為支撐算力基建的核心要素。AOS正以技術(shù)創(chuàng)新，推動AI數(shù)據(jù)中心向更綠色、更可持續(xù)的未來邁進。

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