AOS發(fā)布新款100V MOSFET AONA66916，采用創(chuàng)新雙面散熱封裝

來源：中芯巨能：提供選型指導+現(xiàn)貨供應+技術支持| 發(fā)布日期：2024-01-25 14:03:12 瀏覽量：

著名功率半導體及芯片供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS）最近發(fā)布了一款新的100V MOSFET產品——AONA66916，該產品采用了AOS創(chuàng)新型的雙面散熱DFN 5 x 6封裝。AOS一直以來被客戶系統(tǒng)研發(fā)人員視為重要的方案設計組件，幫助客戶實現(xiàn)各種高性能應用要求。現(xiàn)在，AOS產品進一步創(chuàng)新，提供了最先進的封裝以保持器件的最佳散熱性能，使工程師能夠在長期處于惡劣條件下運行的電信系統(tǒng)和工業(yè)應用中開發(fā)更高效的方案設計。

傳統(tǒng)的DFN 5x6封裝主要依靠底部焊盤進行散熱，器件產生的大部分熱量都將轉移到PCB上。為了滿足系統(tǒng)要求，增加了PCB熱管理設計的難度。AOS雙面散熱型DFN 5x6封裝由于其較大的表面接觸面積結構，可以實現(xiàn)外露的頂部窗口和散熱器之間的最高熱傳遞。這使得器件能夠實現(xiàn)0.5°C/W的低熱阻（Rthc-top max），從而顯著提高熱性能。AONA66916的頂部開窗式DFN 5x6封裝與AOS標準的DFN 5x6具有相同的封裝和尺寸（5mm x 6mm），無需修改現(xiàn)有PCB布局，以最小的評估工作量提高功率密度。

AONA66916利用AOS 100V AlphaSGT?技術，其優(yōu)越的品質因數(shù)（FOM）完美適配硬開關的應用。AONA66916的最大RDS(on)為3.4mOhms，支持最大結溫175°C。

Peter Wilson，AOS MOSFET產品線資深市場總監(jiān)表示：“在高功率電源設計中，MOSFET的散熱性能具有一定的挑戰(zhàn)性，AOS通過其先進的頂部開窗封裝設計成功解決了這一基本問題。由于頂部開窗的面積相對較大，這不僅實現(xiàn)了MOSFET從頂部窗口到散熱器之間更好的熱傳遞，而且MOSFET較低的溫度，也有助于實現(xiàn)更高效、更穩(wěn)健的設計方案。”

這一新款100V MOSFET產品的發(fā)布，進一步彰顯了AOS在功率半導體領域的創(chuàng)新能力和技術實力，為客戶提供了更多高性能、高可靠性的解決方案，助力其在電信系統(tǒng)和工業(yè)應用中取得更大成功。如需數(shù)據(jù)手冊、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。

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