近日，意法半導(dǎo)體（ST）宣布推出一項(xiàng)基于18納米全耗盡絕緣體上硅（FD-SOI）技術(shù)并整合嵌入式相變存儲器（ePCM）的先進(jìn)制造工藝，旨在支持下一代嵌入式處理器的升級進(jìn)化。這一創(chuàng)新工藝是意法半導(dǎo)體與三星晶圓代工廠共同開發(fā)的，旨在實(shí)現(xiàn)嵌入式處理應(yīng)用性能和功耗的巨大飛躍，同時(shí)能夠集成更大容量的存儲器和更多模擬和數(shù)字外設(shè)。首款基于這一新技術(shù)的下一代STM32微控制器產(chǎn)品將于2024年下半年開始向部分客戶提供樣品，預(yù)計(jì)2025年下半年將進(jìn)行量產(chǎn)。

Remi El-Ouazzane，意法半導(dǎo)體微控制器、數(shù)字IC和射頻產(chǎn)品部總裁表示：“作為半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新領(lǐng)軍企業(yè)，意法半導(dǎo)體率先推出汽車級和航天級FD-SOI和PCM技術(shù)，讓工業(yè)應(yīng)用開發(fā)者也能享受到這些先進(jìn)技術(shù)帶來的諸多好處。”

技術(shù)優(yōu)勢方面，18納米FD-SOI制造工藝集成ePCM相較于目前使用的ST 40nm嵌入式非易失性存儲器（eNVM）技術(shù)，帶來了以下關(guān)鍵優(yōu)勢：

1. 性能功耗比提高50%以上；

2. 非易失性存儲器（NVM）密度是現(xiàn)有技術(shù)的2.5倍，可實(shí)現(xiàn)更大容量的存儲器集成；

3. 數(shù)字電路密度是現(xiàn)有技術(shù)的三倍，可集成人工智能、圖形加速器等數(shù)字外設(shè)，以及先進(jìn)的安全保護(hù)功能；4. 噪聲系數(shù)改善3dB，增強(qiáng)了無線MCU的射頻性能。

該工藝的工作電源電壓為3V，可為電源管理、復(fù)位系統(tǒng)、時(shí)鐘源和數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器等模擬功能供電，是20納米以下唯一支持此功能的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。此外，該技術(shù)經(jīng)過汽車市場驗(yàn)證，具有耐高溫工作、輻射硬化和數(shù)據(jù)保存期限長的特點(diǎn)，能夠滿足工業(yè)應(yīng)用對可靠性的嚴(yán)格要求。

這一具有成本競爭力的技術(shù)將為開發(fā)人員帶來新型高性能、低功耗、無線MCU。大存儲容量將支持市場對邊緣人工智能處理、多射頻協(xié)議棧、無線更新和高級安全功能的不斷增長需求。高處理性能和大存儲容量將鼓勵(lì)開發(fā)者轉(zhuǎn)向集成度更高、成本效益更高的微控制器。首款基于該技術(shù)的微控制器將集成ARM最先進(jìn)的Cortex-M內(nèi)核，為機(jī)器學(xué)習(xí)和數(shù)字信號處理應(yīng)用提供更強(qiáng)大的運(yùn)算性能，并具備快速、靈活的外部存儲器接口、先進(jìn)的圖形功能以及眾多模擬和數(shù)字外設(shè)。如需采購意法半導(dǎo)體微控制器等產(chǎn)品、申請樣片測試、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。