在追求芯片制程技術(shù)的極限道路上，英特爾近日再次展現(xiàn)出其前瞻視野與積極態(tài)度。作為芯片制造領(lǐng)域的巨頭，英特爾在最新一代極紫外（EUV）光刻機(jī)的采購(gòu)上表現(xiàn)出了尤為積極的態(tài)勢(shì)。該公司宣布已啟動(dòng)阿斯麥（ASML）高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機(jī)的組裝工作，旨在應(yīng)對(duì)1.8nm以下制程技術(shù)的挑戰(zhàn)。

據(jù)悉，這款光刻機(jī)是專為生產(chǎn)2nm及以下芯片而設(shè)計(jì)的，其數(shù)值孔徑（NA）從傳統(tǒng)的0.33提升至0.55，這一關(guān)鍵技術(shù)的突破對(duì)于實(shí)現(xiàn)更小尺寸的晶體管至關(guān)重要，從而支持2nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的芯片制造。英特爾光刻主管馬克·菲利普斯表示：“我們?cè)跊Q定購(gòu)買這些設(shè)備時(shí)就已經(jīng)認(rèn)可了它們的價(jià)值。現(xiàn)在我們擁有了期待已久的新一代極紫外光刻機(jī)，我們不想再犯過(guò)去的錯(cuò)誤。”

事實(shí)上，英特爾在極紫外光刻技術(shù)的開(kāi)發(fā)上曾有所貢獻(xiàn)，但在應(yīng)用阿斯麥?zhǔn)卓顦O紫外光刻機(jī)方面卻晚于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。這一滯后使得英特爾在先進(jìn)芯片工藝產(chǎn)能上落后于臺(tái)積電、三星等廠商，甚至不得不將部分晶圓生產(chǎn)外包給包括臺(tái)積電在內(nèi)的其他代工廠。這一經(jīng)歷讓英特爾深刻反思，并加速了其在新一代EUV光刻機(jī)采購(gòu)上的步伐。

根據(jù)規(guī)劃，英特爾計(jì)劃在2024年量產(chǎn)2nm制程芯片，并在2025年實(shí)現(xiàn)1.8nm制程的量產(chǎn)。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，英特爾不僅加大了對(duì)光刻技術(shù)的研發(fā)投入，還積極采購(gòu)了阿斯麥的高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)。據(jù)悉，該設(shè)備的售價(jià)高達(dá)3.5億歐元（約合27億元人民幣），但英特爾顯然認(rèn)為這是一筆值得的投資。

值得一提的是，英特爾并非唯一一家訂購(gòu)這款先進(jìn)光刻機(jī)的企業(yè)。臺(tái)積電、三星、SK海力士和美光等廠商也都加入了采購(gòu)行列。然而，由于該設(shè)備的運(yùn)輸和安裝過(guò)程可能長(zhǎng)達(dá)六個(gè)月，英特爾此次的迅速行動(dòng)已經(jīng)使其在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中取得了明顯的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

展望未來(lái)，ASML計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)將此類芯片制造設(shè)備的產(chǎn)能提高到每年20臺(tái)，以滿足全球市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)制程技術(shù)的旺盛需求。英特爾已經(jīng)預(yù)訂了其中的6臺(tái)設(shè)備，這進(jìn)一步彰顯了其對(duì)于保持技術(shù)領(lǐng)先地位的決心。

此次英特爾率先開(kāi)始組裝新一代EUV光刻機(jī)，不僅標(biāo)志著其在技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略上邁出了重要一步，也為其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中保持領(lǐng)先地位奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。通過(guò)引進(jìn)這一先進(jìn)的光刻機(jī)，英特爾將進(jìn)一步推動(dòng)2nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)芯片的研發(fā)和生產(chǎn)，為未來(lái)的半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展注入新的活力。