Littelfuse宣布推出了IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器，旨在驅動工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。

IX4352NE低側柵極驅動器

IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低。內(nèi)部負電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置，以實現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。該驅動器的工作電壓范圍（VDD - VSS）高達35V，具有出色的靈活性和性能。

IX4352NE的特色之一是配備了內(nèi)部負電荷泵調(diào)節(jié)器，無需外部輔助電源設備或DC/DC轉換器。這一功能特別適用于關斷SiC MOSFET，可以節(jié)省外部邏輯電平轉換器電路通常所需的空間。邏輯輸入與標準TTL或CMOS邏輯電平兼容，進一步提升了節(jié)省空間的能力。

IX4352NE非常適合用于各種工業(yè)應用中的SiC MOSFET驅動，包括車載和非車載充電器、功率因數(shù)校正（PFC）、DC/DC轉換器、電機控制器以及工業(yè)電源逆變器。其卓越性能使其成為電動汽車、工業(yè)、替代能源、智能家居和樓宇自動化市場中對電力電子應用要求嚴苛的理想選擇。

IX4352NE簡化了電路設計并提供了更高的集成度，具備內(nèi)置保護功能，包括帶軟關斷灌電流驅動器的去飽和檢測（DESAT）、欠壓鎖定（UVLO）以及熱關斷（TSD）等，確保功率器件和柵極驅動器得到充分保護。集成的開漏FAULT輸出可發(fā)送故障信號至微控制器，提升了系統(tǒng)的安全性和可靠性。此外，IX4352NE還可節(jié)省寶貴的PCB空間，提高電路密度，有助于提高整體系統(tǒng)效率。

IX4352NE相較于現(xiàn)有的IX4351NE有明顯改進，包括由DESAT觸發(fā)的安全軟關斷、高閾值精度熱關斷、以及熱關斷期間電荷泵的工作能力。新款IX4352NE與引腳兼容，可無縫替換指定使用現(xiàn)有Littelfuse IX4351NE的設計，該設計于2020年發(fā)布。

Littelfuse集成電路部（SBU）產(chǎn)品經(jīng)理June Zhang表示：“IX4352NE通過引入一種新型9A拉/灌電流驅動器，擴展了我們廣泛的低側柵極驅動器系列，為SiC MOSFET的柵極驅動電路帶來了簡化。”他還指出，“其各種內(nèi)置保護功能和集成電荷泵提供了可調(diào)的負柵極驅動電壓，有助于提高dV/dt抗擾度和關斷速度。因此，該產(chǎn)品可用于驅動任何SiC MOSFET或功率IGBT，無論是Littelfuse器件還是市場上其他類似器件。”如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。