近日，全球知名半導體制造商Nexperia（安世半導體）宣布計劃在漢堡工廠投資2億美元（約合1.84億歐元），用于研發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），并建立生產(chǎn)基礎設施。同時，公司還將增加硅（Si）二極管和晶體管的產(chǎn)能。這一重大投資是為了慶祝該工廠成立100周年，并由漢堡經(jīng)濟部長Melanie Leonhard博士與Nexperia共同宣布。

為滿足高效功率半導體不斷增長的需求，Nexperia將從2024年6月開始在德國進行SiC、GaN和Si等三種技術的研發(fā)和生產(chǎn)。這一舉措彰顯了Nexperia對電氣化和數(shù)字化領域關鍵技術的強大支持。SiC和GaN半導體使數(shù)據(jù)中心等高功率應用能夠以出色效率運行，同時也是可再生能源和電動汽車等領域的核心組件。這些寬禁帶技術具有巨大潛力，對實現(xiàn)脫碳目標至關重要。

Nexperia德國首席運營官兼常務董事Achim Kempe表示：該投資鞏固了公司作為節(jié)能半導體領先供應商的地位，使其能夠更負責任地利用可用電能。未來，漢堡工廠將覆蓋全系列寬禁帶半導體產(chǎn)品，同時仍是最大的小信號二極管和晶體管工廠。公司將繼續(xù)執(zhí)行戰(zhàn)略，生產(chǎn)高質(zhì)量、成本效益的半導體，以滿足各種應用需求，并應對當今世代所面臨的能源挑戰(zhàn)。

首條高壓D-Mode GaN晶體管和SiC二極管生產(chǎn)線已于2024年6月投入運營。下一步將是建立現(xiàn)代化、經(jīng)濟高效的200毫米SiC MOSFET和低壓GaN HEMT生產(chǎn)線，預計將在未來兩年內(nèi)在漢堡工廠完成。此舉還將有助于進一步實現(xiàn)現(xiàn)有基礎設施的自動化，并通過轉向使用200毫米晶圓來擴大硅的產(chǎn)能。新的研發(fā)實驗室正在建設中，確保未來從研究到生產(chǎn)的順暢過渡。

除了推動技術進步，Nexperia預計此舉措還將刺激當?shù)亟?jīng)濟發(fā)展，為當?shù)貏?chuàng)造就業(yè)機會，增強歐盟半導體自給自足的能力。公司與大學和研究機構密切合作，共享專業(yè)知識并推動員工培訓。這些合作保證了Nexperia產(chǎn)品持續(xù)創(chuàng)新，技術表現(xiàn)卓越。Nexperia在漢堡廠百年歷史中的持續(xù)投入，凸顯了其致力于保持行業(yè)領先地位并為全球客戶提供創(chuàng)新解決方案的決心。