英飛凌靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM) 具有業(yè)界速度最快的 nvSRAM，具有無(wú)限耐久性，代理銷(xiāo)售英飛凌旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您提供英飛凌靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM) ：簡(jiǎn)介、特征及系列。

簡(jiǎn)介

英飛凌的 nvSRAM 產(chǎn)品采用 SONOS 非易失性單元，該單元基于標(biāo)準(zhǔn) SRAM 單元構(gòu)建。當(dāng)正常供電時(shí)，該設(shè)備的外觀(guān)和行為與標(biāo)準(zhǔn) SRAM 類(lèi)似。但是，當(dāng)電源斷電時(shí)，每個(gè)單元的內(nèi)容可以自動(dòng)存儲(chǔ)在位于 SRAM 單元上方的非易失性元件中。該非易失性元件采用標(biāo)準(zhǔn) CMOS 工藝技術(shù)，可獲得標(biāo)準(zhǔn) SRAM 的高性能。

SONOS 技術(shù)利用 Fowler-Nordheim 隧道 (FN 隧道) 通過(guò)將電荷捕獲在夾層氮化物層中來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FN 隧道的一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)是它可以大大提高 NV 耐久性并大大降低磨損速度。SONOS 技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是它易于集成到 CMOS 中（僅需兩個(gè)額外的掩模）。這使得 NV 單元可以位于每個(gè)存儲(chǔ)位中緊鄰 6T SRAM 單元的位置，從而使 SRAM 到 NV 之間的傳輸全部并行進(jìn)行，并且功率水平非常低。與浮柵技術(shù)不同，SONOS 存儲(chǔ)設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)更薄的柵極堆疊高度，從而實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的靜電控制，因此也更具可擴(kuò)展性。

特征

快速訪(fǎng)問(wèn)-執(zhí)行隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)讀寫(xiě)速度最快可達(dá) 20ns

無(wú)限耐久性 - 提供無(wú)限次寫(xiě)入和讀取

節(jié)省空間 - 與 BBSRAM 相比，占用的電路板空間更小

耐輻射——不受輻射引起的軟錯(cuò)誤的影響

系列

英飛凌的 nvSRAM 將賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的 SRAM 技術(shù)與SONOS 非易失性技術(shù)相結(jié)合。英飛凌提供全面的串行和并行 nvSRAM 非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合。

英飛凌的并行 nvSRAM 是業(yè)界最快的并行非易失性 RAM 解決方案，最快訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間為 20ns。這些產(chǎn)品的密度范圍從 64kbit 到 16Mbit，支持 2.7V 至 5.5V 的寬電壓范圍。它們用于 RAID 存儲(chǔ)、工業(yè)自動(dòng)化、計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用。我們的串行 nvSRAM 提供無(wú)限的讀/寫(xiě)耐久性和高速讀寫(xiě)。這些產(chǎn)品的密度范圍從 64kbit 到 1Mbit，支持 2.7V 至 5.5V 的寬電壓范圍。它們用于工業(yè)控制和自動(dòng)化設(shè)備以及智能電表等應(yīng)用。