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Nexperia 安世半導體推出新型NextPower 80/100 V MOSFET

來源：Nexperia官網| 發(fā)布日期：2024-08-07 11:38:55 瀏覽量：

基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司正在持續(xù)擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優(yōu)化，旨在提高服務器、電源、快速充電器、USB-PD以及其他電信、電機控制和工業(yè)設備中的效率和性能。

Nexperia發(fā)現，在比較MOSFET的開關性能時，除了低QG(tot)和低QGD外，Qrr（反向恢復電荷）也是一個重要的參數。通過專注于降低Qrr，Nexperia成功地減少了其NextPower系列80/100 V MOSFET產生的尖峰水平，進而降低了它們產生的電磁干擾(EMI)量。這種改進有助于減少在產品后期階段未能通過電磁兼容性(EMC)測試而需要重新設計的情況，從而避免了添加額外外部組件所帶來的高昂成本。

Nexperia 安世半導體推出新型NextPower 80/100 V MOSFET

與市場上現有的器件相比，這些新MOSFET的導通電阻(RDS(on))降幅高達31%。Nexperia計劃在今年晚些時候進一步加強其NextPower 80/100 V產品組合，發(fā)布一款新的LFPAK88 MOSFET，該器件在80 V下的RDS(on)可低至1.2 mΩ。此外，Nexperia還將在產品組合中引入功率密集型CCPAK1212。

為了支持這些器件的設計導入和驗證，Nexperia提供了屢獲殊榮的交互式數據手冊，為工程師提供了一個全面且易于使用的工具，幫助他們分析器件的行為。設計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇，RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等，以滿足不同應用的需求。

通過這些新推出的MOSFET，Nexperia旨在為客戶提供高性能、高效率的解決方案，同時降低最終用戶的成本和復雜性，為市場帶來顯著的價值。

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