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英飛凌推出CoolSiC?MOSFET1.9mΩ和2.5mΩ3.3kVXHP?2半橋模塊

來源:英飛凌官網(wǎng)| 發(fā)布日期:2024-08-20 09:37:25 瀏覽量:

英飛凌科技近日推出了兩款新型CoolSiC?MOSFET3.3kVXHP?2半橋模塊,分別為FF2000UXTR33T2M1(1.9mΩ3.3kV)和FF2600UXTR33T2M1(2.5mΩ3.3kV)。這兩款產(chǎn)品均采用了先進的.XT互聯(lián)技術(shù)和集成體二極管,為高功率密度應(yīng)用帶來了革命性的解決方案。

產(chǎn)品特點

-大電流能力:能夠承受大電流,適用于需要高電流處理能力的應(yīng)用場景。

-低損耗:通過優(yōu)化設(shè)計實現(xiàn)了較低的開關(guān)損耗,有助于提高系統(tǒng)的整體效率。

-適合高頻應(yīng)用:設(shè)計用于高頻操作,能夠滿足現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的需求。

-緊湊體積:采用XHP?2封裝技術(shù),使得產(chǎn)品具有更小的體積,便于集成到緊湊的空間內(nèi)。

-.XT連接技術(shù):采用先進的.XT互聯(lián)技術(shù),提高了模塊的可靠性和性能。

-I2t浪涌電流穩(wěn)健性:具備優(yōu)秀的I2t浪涌電流處理能力,增強了系統(tǒng)的穩(wěn)健性和耐用性。

英飛凌推出CoolSiC?MOSFET1.9mΩ和2.5mΩ3.3kVXHP?2半橋模塊

應(yīng)用價值

-能源效率:通過降低損耗和優(yōu)化散熱設(shè)計,提高了能源轉(zhuǎn)換效率。

-高功率密度:緊湊的設(shè)計和高效的性能使得這些模塊能夠在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的功率密度。

-更長的使用壽命:通過優(yōu)化材料和設(shè)計,增強了產(chǎn)品的耐用性,從而延長了使用壽命。

應(yīng)用領(lǐng)域

-軌道交通:適用于牽引變流器,能夠為高速列車等交通工具提供高效的動力轉(zhuǎn)換。

-可再生能源:在光伏系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)(ESS)以及電解氫生產(chǎn)等可再生能源應(yīng)用中,這些模塊能夠提高能源轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)的可靠性。

結(jié)語

英飛凌的CoolSiC?MOSFET1.9mΩ和2.5mΩ3.3kVXHP?2半橋模塊以其高功率密度、高能效和堅固性等特點,為軌道交通和可再生能源等領(lǐng)域的應(yīng)用提供了強大的技術(shù)支持。這些創(chuàng)新產(chǎn)品不僅有助于提高系統(tǒng)的能源效率,還能顯著提升整體性能和可靠性,是推動綠色能源轉(zhuǎn)型和可持續(xù)發(fā)展的重要力量。如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求,請加客服微信:13310830171。

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