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英飛凌攜多款創(chuàng)新產(chǎn)品亮相PCIM Asia 2024

來源:英飛凌官網(wǎng)| 發(fā)布日期:2024-08-22 09:47:04 瀏覽量:

在即將到來的PCIM Asia 2024展會(huì)上,英飛凌將首次展出一系列創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù),涵蓋最新的碳化硅(SiC)、IGBT功率模塊、智能功率模塊(IPM)以及固態(tài)隔離器等。這些產(chǎn)品旨在為風(fēng)能、光伏、儲(chǔ)能、充電樁、工業(yè)驅(qū)動(dòng)和自動(dòng)化以及采暖通風(fēng)等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域提供完整的解決方案。以下是一些亮點(diǎn)產(chǎn)品的介紹:

CoolSiC? MOSFET G2:

英飛凌推出了新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),進(jìn)一步提高了功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的效率。CoolSiC? MOSFET 650和1200V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的同時(shí),將主要性能指標(biāo)(如能量損耗和存儲(chǔ)電荷)優(yōu)化了20%。結(jié)合英飛凌的.XT封裝技術(shù),芯片的瞬態(tài)熱阻降低了25%以上,使用壽命延長(zhǎng)了80%,從而進(jìn)一步提升了CoolSiC? G2的設(shè)計(jì)潛力。

CoolSiC? MOSFET G2:

全新4.5 kV XHP? 3 IGBT模塊:

英飛凌最新推出的4.5kV XHP? 3模塊,包括450A TRENCHSTOP? IGBT4半橋模塊和450A發(fā)射極控制EC4二極管半橋模塊。這些模塊的隔離絕緣電壓提高至10.4kV,有助于在保持效率的同時(shí)簡(jiǎn)化并聯(lián)操作并縮小尺寸,為大型傳送帶、泵、高速列車、機(jī)車以及商用、工程和農(nóng)用車輛等應(yīng)用帶來優(yōu)勢(shì)。

全新4.5 kV XHP? 3 IGBT模塊

1200V CIPOS? Maxi 智能功率模塊:

英飛凌將在PCIM Asia 2024上展出CIPOS? Maxi智能功率模塊IM12BxxxC1系列。該系列包括IM12B10CC1、IM12B15CC1和 IM12B20EC1三款新產(chǎn)品,電流規(guī)格覆蓋10A到20A,輸出功率最高可達(dá)4.0kW。這些模塊適用于中低功率驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、泵、風(fēng)扇、熱泵以及供暖、通風(fēng)和空調(diào)用室外風(fēng)扇等。

1200V CIPOS? Maxi 智能功率模塊

新型固態(tài)隔離器:

英飛凌推出的新型固態(tài)隔離器產(chǎn)品系列,采用無芯變壓器技術(shù),支持高20倍的能量傳輸,并擁有電流和溫度保護(hù)功能。這些隔離器不僅提供了更快速、可靠的開關(guān)操作,還具備光學(xué)固態(tài)繼電器(SSR)所不具備的保護(hù)功能,從而實(shí)現(xiàn)了更低的功耗(高達(dá)70%的降低)和更低的擁有成本。

新型固態(tài)隔離器

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