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通過采用意法半導體的SiC MOSFET,設計師可以將寬帶隙材料(WBG)的創(chuàng)新優(yōu)勢引入其新項目中。這些碳化硅MOSFET提供650V至2200V的寬電壓范圍,基于先進的技術平臺,具備卓越的開關性能和極低的單位面積導通電阻。
汽車級認證:滿足嚴苛的汽車行業(yè)標準。
耐高溫能力:最高結溫可達200°C。
高頻操作與低損耗:支持超高頻率工作,并具有極低的開關損耗。
低導通電阻:降低能耗,提高效率。
兼容現(xiàn)有柵極驅動IC:簡化設計過程。
穩(wěn)定快速的體二極管:增強整體系統(tǒng)的可靠性。

SCTH60N120G2-7:Gen2 1200 V STPOWER SiC MOSFET采用微型H2PAK-7 SMD封裝,功率密度更高裝。
SCTWA35N65G2V-4:碳化硅功率 MOSFET 650 V,典型值 55 mOhm,45 A,采用 HiP247-4 封裝。
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意法半導體提供的SiC MOSFET產(chǎn)品線覆蓋了多種先進封裝形式,如HiP247、H2PAK-7、TO-247長引線、STPAK及HU3PAK,專門針對汽車和工業(yè)應用的需求進行優(yōu)化設計。此外,包括第三代G3在內的所有型號均可提供裸晶片選項,符合嚴格的汽車級要求,例如晶圓級老化測試(WLBI)和已知良好晶片(KGD)流程,支持重構晶圓或卷盤封裝形式供貨。