2024年11月5日，英飛凌科技的CoolSiC? MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊（包括EasyPACK? 3B封裝和62mm封裝）憑借其市場領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計和卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards, WEAA）“年度高性能無源/分立器件”（High Performance Passive/Discrete Devices of the Year）。英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)產(chǎn)品總監(jiān)張明丹女士出席了本次頒獎典禮。

產(chǎn)品亮點

CoolSiC? MOSFET 2000V分立器件

封裝與電氣特性：采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14mm，電氣間隙為5.4mm。

技術(shù)特點：基于第一代增強型溝槽柵技術(shù)，該產(chǎn)品在電壓等級上實現(xiàn)了向上拓展，成為市面上首款擊穿電壓達到2000V的碳化硅分立器件，適用于最高1500 VDC的高直流電壓母線系統(tǒng)。

散熱與防潮性能：憑借.XT擴散焊技術(shù)，這款產(chǎn)品可提供一流的散熱性能和高防潮性，不僅能夠滿足設(shè)計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也能確保系統(tǒng)的可靠性。

CoolSiC? MOSFET 2000V M1H碳化硅模塊

封裝與技術(shù)：采用了增強型M1H Trench SiC MOSFET芯片技術(shù)，搭載EasyPACK? 3B封裝和62mm兩種封裝。其中，DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一個采用EasyPACK? 3B封裝的2000V CoolSiC? MOSFET功率模塊，適用于1500V光伏系統(tǒng)。

性能優(yōu)勢：實際應(yīng)用中，通過使用該產(chǎn)品，兩電平可以取代三電平的結(jié)構(gòu)，在輕載下，Boost升壓效率提高了1%，而在所有工作條件下，升壓效率平均提高了0.5%。它實現(xiàn)了更簡單的解決方案，減少了器件的數(shù)量，同時提高了功率密度，降低了1500 VDC應(yīng)用的總系統(tǒng)成本。

62mm CoolSiC? MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊

優(yōu)化性能：優(yōu)化了VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅(qū)動電壓范圍等SiC MOS關(guān)鍵性能。該產(chǎn)品VGS(th)最大正負柵極源極電壓分別擴展至+23V和-10V，同時增大了推薦柵極驅(qū)動電壓的范圍，+15...+18V和0...-5V。

高溫性能：過載條件下的Tvjop最高可達175℃，與市場同類產(chǎn)品相比，62mm CoolSiC? MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊具備高頻、耐高壓、耐高溫、低損耗、抗輻射能力強等顯著優(yōu)勢。

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應(yīng)用領(lǐng)域

英飛凌的CoolSiC? MOSFET 2000V碳化硅分立器件及模塊在多個領(lǐng)域具有顯著的應(yīng)用優(yōu)勢：

光伏發(fā)電：適用于1500V光伏系統(tǒng)，提高升壓效率，簡化系統(tǒng)設(shè)計，降低總系統(tǒng)成本。

工業(yè)電源：適用于高直流電壓母線系統(tǒng)，確保系統(tǒng)的可靠性和效率。

電動汽車：提高功率密度，減少器件數(shù)量，提高系統(tǒng)的整體性能。

儲能系統(tǒng)：提高系統(tǒng)的可靠性和效率，延長使用壽命

英飛凌CoolSiC? MOSFET 2000V碳化硅分立器件及模塊的獲獎，再次展現(xiàn)了英飛凌在電力電子領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新能力和行業(yè)領(lǐng)先地位。英飛凌將繼續(xù)致力于研發(fā)更多高性能、高可靠性的碳化硅產(chǎn)品，為行業(yè)客戶創(chuàng)造更大的價值。張明丹女士表示，英飛凌將不斷推動技術(shù)進步，為客戶提供更加高效、可靠的解決方案。