2024年11月27-28日，上海貝嶺參加了由蓋世汽車(chē)主辦的第五屆汽車(chē)電驅(qū)動(dòng)及關(guān)鍵技術(shù)大會(huì)。本次展會(huì)，上海貝嶺展示了其在汽車(chē)電子領(lǐng)域的最新產(chǎn)品和技術(shù)方案，涵蓋了IGBT、FRD和SiC MOSFET等關(guān)鍵器件，以及功率模塊系列

一、“IGBT+FRD” 組合1

BLQG200T120

技術(shù)平臺(tái)：基于貝嶺Trench-FS Gen5技術(shù)平臺(tái)

特點(diǎn)：

開(kāi)關(guān)損耗低

高可靠性和強(qiáng)短路魯棒性

正面采用虛擬trench和有效trench優(yōu)化電容和電荷參數(shù)

背面采用多次H FS工藝，增強(qiáng)抗EMI能力

最高工作結(jié)溫175℃

特性：

VCE最低1200V

持續(xù)電流200A @100℃

最高脈沖電流400A

VCE (sat)@Vge=15V 僅1.85V

工作結(jié)溫范圍：-40~175℃

通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證

BLK105N120

特點(diǎn)：采用壽命控制技術(shù)，具有較低的反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時(shí)間

特性：

VBR最低1200V

正向?qū)娏?00A @100℃

正向?qū)▔航?.0V @200A, Tc=25℃

工作結(jié)溫范圍：-40~175℃

通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證

典型應(yīng)用：通過(guò)不同的并聯(lián)封裝，可實(shí)現(xiàn)在800V平臺(tái)新能源汽車(chē)不同功率的拖動(dòng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

二、“IGBT+FRD” 組合2

BLQG275T75

技術(shù)平臺(tái)：基于貝嶺Trench-FS Gen7 技術(shù)平臺(tái)

特點(diǎn)：

正向壓降小、開(kāi)關(guān)速度快

開(kāi)關(guān)損耗低、高可靠性

采用第七代微溝槽柵技術(shù)優(yōu)化導(dǎo)通壓降和開(kāi)關(guān)損耗

優(yōu)化的多層場(chǎng)截止技術(shù)改善短路表現(xiàn)

最高工作溫度175℃

特性：

VCE最低750V

持續(xù)電流275A @100℃

最高脈沖電流550A

VCE (sat)@Vge=15V 僅1.4V

工作結(jié)溫范圍：-55~175℃

通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證

BLQK275N75

特點(diǎn)：采用壽命控制技術(shù)，具有較低的反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時(shí)間

特性：

VBR最低750V

正向?qū)娏?75A @100℃

正向?qū)▔航?.56V @150A, Tc=25℃

工作結(jié)溫范圍：-40~175℃

通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證

典型應(yīng)用：

TO-247PLUS 單管封裝適用于最高40kW的汽車(chē)主驅(qū)逆變器（適合A0級(jí)和A00級(jí)純電動(dòng)汽車(chē)）

HPD等形式的750V IGBT功率模塊適用于最高120kW的汽車(chē)主驅(qū)逆變器（適合A級(jí)純電動(dòng)及混合動(dòng)力汽車(chē)）

三、SiC MOSFET系列

BLQC75N120

特點(diǎn)：N溝道增強(qiáng)型平面MOSFET，采用碳化硅材料

特性：

VDS最低1200V

持續(xù)電流40A, 30A @100℃

最高脈沖電流80A

RDS(ON)典型值75mΩ@15V, 50mΩ@20V

低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗

工作結(jié)溫范圍：-40~175℃

通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證

典型應(yīng)用：OBC, DCDC, 空調(diào)電子壓縮機(jī), 開(kāi)關(guān)電源

BLQC40N120

特性：

VDS最低1200V

持續(xù)電流70A, 50A @100℃

最高脈沖電流160A

RDS(ON)典型值40mΩ@15V, 26mΩ@20V

低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗

工作結(jié)溫范圍：-40~175℃

通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證

典型應(yīng)用：OBC, DCDC, 空調(diào)電子壓縮機(jī), 充電樁

BLQC16N120

特性：

VDS最低1200V

持續(xù)電流120A, 85A @100℃

最高脈沖電流300A

RDS(ON)典型值16mΩ@18V, 14.5mΩ@20V

低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗

工作結(jié)溫范圍：-40~175℃

通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證

典型應(yīng)用：主驅(qū), OBC, 充電樁

BLQC13N120

特性：

VDS最低1200V

持續(xù)電流152A, 108A @100℃

最高脈沖電流310A

RDS(ON)典型值13mΩ@18V, 10mΩ@20V

低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗

工作結(jié)溫范圍：-40~175℃

通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證

典型應(yīng)用：主驅(qū), OBC, 充電樁

四、功率模塊系列

BLQGMS820T75FEDL7

特點(diǎn)：六單元IGBT HPD模塊，采用貝嶺第7代溝槽柵場(chǎng)阻止層結(jié)構(gòu)

特性：

VCES最低750V

持續(xù)電流820A, 450A @80℃

最高脈沖電流1640A

VCE (sat)@Vge=15V 僅1.2V @25℃

優(yōu)化的柵電荷和米勒電容

強(qiáng)抗EMI能力和短路能力

典型應(yīng)用：電動(dòng)汽車(chē)和混動(dòng)汽車(chē)的逆變主驅(qū)，以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)

BLGMF600T120FCDS4

特點(diǎn)：基于貝嶺第四代先進(jìn)的溝槽場(chǎng)截止技術(shù)（T-FS4）的IGBT半橋模組（E3），集成NTC溫度傳感器

特性：

VCES最低1200V

持續(xù)電流1200A, 600A @80℃

最高脈沖電流1200A

VCE (sat)@Vge=15V 僅1.75V @25℃

低VCE (sat)，優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能

高可靠性和強(qiáng)短路能力

典型應(yīng)用：大功率逆變器，風(fēng)力發(fā)電，工業(yè)焊機(jī)，以及工業(yè)UPS系統(tǒng)

通過(guò)此次展會(huì)，上海貝嶺展示了其在汽車(chē)電子領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力和技術(shù)優(yōu)勢(shì)，為新能源汽車(chē)和相關(guān)行業(yè)提供了高效、可靠的解決方案。期待未來(lái)上海貝嶺能帶來(lái)更多創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)，推動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)動(dòng)技術(shù)的發(fā)展。

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