安森美在其技術(shù)發(fā)展“路線圖”中，將溝槽技術(shù)視為一個(gè)重要的發(fā)展方向，同時(shí)也在持續(xù)深化其在平面技術(shù)上的研發(fā)。這一策略旨在克服溝槽技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)，同時(shí)利用平面技術(shù)成熟的優(yōu)勢(shì)，確保產(chǎn)品性能達(dá)到最優(yōu)。

平面SiC MOSFET：穩(wěn)定性和成本效益的典范

安森美的平面SiC MOSFET建立在公司及整個(gè)行業(yè)數(shù)十年的全球制造經(jīng)驗(yàn)之上，因此具備了無可比擬的性能、穩(wěn)定性和可靠性。這種器件不僅擁有優(yōu)化的供應(yīng)鏈，還經(jīng)過了廣泛的現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證，累計(jì)使用時(shí)間已達(dá)數(shù)萬(wàn)億小時(shí)，故障率極低。特別是在柵極氧化層方面，安森美通過嚴(yán)格的100%缺陷篩選和加速電氣測(cè)試，確保了產(chǎn)品的耐用性。

從平面到溝槽：逐步過渡的技術(shù)演進(jìn)

安森美從M1/M2平面技術(shù)起步，逐漸引入更先進(jìn)的條紋管芯和平面技術(shù)，如M3T和M3S，以及業(yè)界領(lǐng)先的薄晶圓技術(shù)，這些都大大減小了管芯尺寸。第三代M3e標(biāo)志著平面技術(shù)發(fā)展的巔峰，其管芯間距相比M1減少了超過60%，實(shí)現(xiàn)了更高的可制造性和使用壽命。此外，M3e還通過提高閾值電壓和降低臨界導(dǎo)通電阻簡(jiǎn)化了柵極電路設(shè)計(jì)，增強(qiáng)了對(duì)寄生導(dǎo)通的抗干擾能力。

隨著技術(shù)的進(jìn)步，安森美計(jì)劃推出下一代M4S和M4T產(chǎn)品，它們將采用先進(jìn)的溝槽設(shè)計(jì)和薄晶圓技術(shù)，進(jìn)一步縮小管芯體積，并提供有別于傳統(tǒng)平面器件的卓越性能。第四代MOSFET將實(shí)現(xiàn)100%溝槽利用率，為市場(chǎng)帶來真正的創(chuàng)新。

面對(duì)SiC材料特性，安森美保持謹(jǐn)慎態(tài)度

值得注意的是，在從硅襯底轉(zhuǎn)向SiC的過程中，許多客戶首次接觸這種新材料時(shí)可能未充分意識(shí)到其潛在的可靠性風(fēng)險(xiǎn)。相較于硅襯底，SiC中的碳在氧化過程中扮演的角色更加復(fù)雜，可能會(huì)引起界面問題。安森美正積極應(yīng)對(duì)這些問題，以確保新技術(shù)產(chǎn)品的可靠性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

綜上所述，盡管安森美積極推進(jìn)溝槽技術(shù)的發(fā)展，但現(xiàn)階段其平面SiC MOSFET仍然以其高可靠性、穩(wěn)定性和成本效益占據(jù)重要地位。