近日，據(jù)朝鮮日?qǐng)?bào)報(bào)道，三星電子的存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部門(mén)（DS部門(mén)）已經(jīng)完成了HBM4內(nèi)存邏輯芯片的設(shè)計(jì)，并交由Foundry業(yè)務(wù)部采用4nm工藝進(jìn)行試產(chǎn)。面對(duì)在HBM3E市場(chǎng)落后于SK海力士的局面，三星正計(jì)劃通過(guò)采用更先進(jìn)的工藝技術(shù)，以最大限度地提高HBM4的性能和競(jìng)爭(zhēng)力。

HBM4的關(guān)鍵改進(jìn)與創(chuàng)新

HBM4相較于前一代產(chǎn)品，在設(shè)計(jì)和技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了顯著的優(yōu)化和創(chuàng)新。最引人注目的變化之一是其底部邏輯芯片的制造方式。不同于HBM3E僅依賴于內(nèi)存制造商自身的工藝，HBM4的邏輯芯片將采用代工工藝，這意味著三星需要與邏輯晶圓廠合作，以便支持更多的信號(hào)引腳、更大的數(shù)據(jù)帶寬以及客戶定制功能。例如，SK海力士已決定采用臺(tái)積電的5nm工藝來(lái)生產(chǎn)HBM4的邏輯芯片，并允許客戶集成專有IP，從而增強(qiáng)產(chǎn)品的性能和定制化能力。

HBM4不僅提升了堆疊層數(shù)從12層增加到16層，進(jìn)一步增加了容量和帶寬，還在邏輯芯片中集成了系統(tǒng)半導(dǎo)體功能，如低功耗特性等，以更好地滿足特定應(yīng)用場(chǎng)景的需求。此外，針對(duì)發(fā)熱問(wèn)題——這是HBM技術(shù)面臨的最大挑戰(zhàn)之一，三星電子正在大規(guī)模應(yīng)用4nm工藝，旨在提高整體性能的同時(shí)改善散熱效果。

三星電子的策略調(diào)整

為了追趕競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手并重獲市場(chǎng)份額，三星電子調(diào)整了其HBM產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)策略。除了采用先進(jìn)的4nm工藝外，三星還計(jì)劃在其HBM4產(chǎn)品中使用第六代（c）10nm DRAM芯片進(jìn)行堆疊，而SK海力士目前仍在使用第五代（b）10nm DRAM。隨著DRAM工藝的進(jìn)步，這種轉(zhuǎn)變不僅能縮小尺寸，還能提升性能和能效。

值得注意的是，三星電子正在探索一種新的堆疊方法——混合鍵合技術(shù)，它通過(guò)銅直接連接芯片，而非傳統(tǒng)的“凸塊”方式，這不僅可以減小尺寸，還可以提高性能。同時(shí)，三星還采用了“先進(jìn)的熱壓非導(dǎo)電粘合膜（TC-NCF）技術(shù)”，每次堆疊時(shí)都會(huì)放置薄膜狀材料，最多可以堆疊12層HBM產(chǎn)品。

一位行業(yè)專家評(píng)論說(shuō)：“三星電子在代工工藝方面取得了快速進(jìn)展，”他補(bǔ)充道，“由于之前幾代產(chǎn)品落后，我們現(xiàn)在正加緊推進(jìn)HBM4項(xiàng)目，以更快地響應(yīng)客戶的樣品測(cè)試和改進(jìn)建議。”