近日，華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海聯(lián)合舉辦了一場(chǎng)關(guān)于SiC（碳化硅）功率半導(dǎo)體技術(shù)的研討會(huì)。此次會(huì)議旨在探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)、制造及材料等領(lǐng)域的最新進(jìn)展及其面臨的挑戰(zhàn)。通過(guò)深入交流和討論，雙方不僅分享了各自的研究成果，還為未來(lái)的合作奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

深入探討SiC功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

會(huì)上，來(lái)自湖南大學(xué)電氣與信息工程學(xué)院的王俊教授詳細(xì)介紹了SiC功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)與應(yīng)用領(lǐng)域的熱點(diǎn)問(wèn)題，并展示了其團(tuán)隊(duì)取得的最新研究成果。王教授指出，隨著新能源汽車、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對(duì)高效能、高可靠性的功率半導(dǎo)體器件的需求日益增加。SiC材料憑借其優(yōu)越的電學(xué)性能，成為滿足這些需求的理想選擇之一。

翟東媛副教授則聚焦于缺陷測(cè)試方面的前沿趨勢(shì)，系統(tǒng)地闡述了其團(tuán)隊(duì)在這一領(lǐng)域的研究基礎(chǔ)。她強(qiáng)調(diào)，盡管SiC功率半導(dǎo)體具有諸多優(yōu)勢(shì)，但在實(shí)際應(yīng)用中仍面臨諸多挑戰(zhàn)，如材料內(nèi)部的缺陷可能導(dǎo)致器件失效或性能下降。因此，開發(fā)高效的缺陷檢測(cè)方法對(duì)于提升SiC功率半導(dǎo)體的整體性能至關(guān)重要。

華大半導(dǎo)體的技術(shù)分享與行業(yè)洞察

華大半導(dǎo)體的四位技術(shù)專家也在會(huì)上進(jìn)行了精彩的分享，結(jié)合近期參加的國(guó)際專業(yè)會(huì)議ICSCRM上的熱點(diǎn)議題，他們就企業(yè)SiC MOSFET工藝、電動(dòng)汽車用SiC MOSFET以及SiC材料領(lǐng)域的最新進(jìn)展和挑戰(zhàn)進(jìn)行了深入剖析。專家們一致認(rèn)為，盡管SiC技術(shù)在近年來(lái)取得了顯著的進(jìn)步，但要在大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用中取得成功，還需要克服諸如成本控制、生產(chǎn)工藝優(yōu)化等一系列難題。

特別是在電動(dòng)汽車領(lǐng)域，SiC MOSFET因其高效能、低損耗的特點(diǎn)被視為下一代電力電子器件的關(guān)鍵組件。然而，如何在保證高性能的同時(shí)降低成本，成為了業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。華大半導(dǎo)體的技術(shù)專家們分享了他們?cè)谶@一領(lǐng)域的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，并提出了多項(xiàng)創(chuàng)新解決方案，旨在推動(dòng)SiC MOSFET技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。

搭建高效交流平臺(tái)，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研合作

本次研討會(huì)為華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)提供了一個(gè)高效的交流協(xié)作平臺(tái)，雙方展開了熱烈的討論與交流，氣氛活躍、互動(dòng)頻繁，取得了良好的效果。通過(guò)這樣的學(xué)術(shù)交流活動(dòng)，不僅可以促進(jìn)高校與企業(yè)在科研成果轉(zhuǎn)化方面的合作，還能加速技術(shù)創(chuàng)新的步伐，共同攻克行業(yè)內(nèi)的關(guān)鍵難題。

未來(lái)，隨著更多類似的合作與交流活動(dòng)的開展，相信SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)將在設(shè)計(jì)、制造及應(yīng)用等方面取得更大的突破，為推動(dòng)我國(guó)乃至全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。同時(shí)，這也為相關(guān)領(lǐng)域的研究人員和技術(shù)人員提供了寶貴的學(xué)習(xí)機(jī)會(huì)，有助于提升整個(gè)行業(yè)的技術(shù)水平和創(chuàng)新能力。通過(guò)持續(xù)不斷的探索與實(shí)踐，SiC功率半導(dǎo)體必將在更多的應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，助力實(shí)現(xiàn)更加綠色、高效的能源利用方式。