近日，英飛凌科技推出全新750V CoolSiC? 碳化硅（SiC）MOSFET分立器件，涵蓋車規(guī)級(jí)與工業(yè)級(jí)產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻范圍從7mΩ至140mΩ，全面滿足車載充電、新能源系統(tǒng)及AI服務(wù)器電源等高可靠性、高效率應(yīng)用場(chǎng)景的需求。代理銷售英飛凌旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您介紹英飛凌750V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)及可選型號(hào)。

面向硬開關(guān)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)，性能領(lǐng)先

英飛凌750V CoolSiC? MOSFET采用成熟且可靠的柵極氧化層技術(shù)，具備業(yè)界領(lǐng)先的抗寄生導(dǎo)通能力，在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等高頻硬開關(guān)拓?fù)渲斜憩F(xiàn)出色。第二代產(chǎn)品在原有基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化輸出電容（Coss），使其更適用于Cycloconverter、CLLC、DAB和LLC等軟開關(guān)架構(gòu)，并支持更高頻率的開關(guān)操作，顯著提升系統(tǒng)能效與動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。

關(guān)鍵參數(shù)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高效低損運(yùn)行

該系列產(chǎn)品在多個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)優(yōu)異：

RDS(on) × Qfr：優(yōu)化導(dǎo)通損耗與反向恢復(fù)電荷之間的平衡；

RDS(on) × Qoss / RDS(on) × QG：降低開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率；

低Crss/Ciss比值與高VGS(th)：增強(qiáng)器件抗干擾能力，提升工作穩(wěn)定性；

集成驅(qū)動(dòng)源引腳與開爾文源極封裝：有效降低柵極震蕩，提升開關(guān)速度控制精度；

專有裸片接合技術(shù)：提升熱傳導(dǎo)效率與機(jī)械可靠性。

多種封裝形式適配復(fù)雜應(yīng)用需求

CoolSiC? 750V MOSFET提供插件與貼片等多種封裝選項(xiàng)，其中Q-DPAK頂部散熱封裝尤其適合對(duì)熱管理要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場(chǎng)景。其頂部散熱（TSC）結(jié)構(gòu)可將芯片熱量直接通過封裝頂部傳導(dǎo)至外部散熱器，不僅改善熱性能，還能簡(jiǎn)化PCB布局與制造流程，助力實(shí)現(xiàn)更高的功率密度與系統(tǒng)集成度。

所有車規(guī)級(jí)型號(hào)均符合AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，工業(yè)級(jí)產(chǎn)品則通過JEDEC認(rèn)證，確保在嚴(yán)苛工況下的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

應(yīng)用廣泛，覆蓋汽車、能源與數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域

憑借出色的電氣性能與熱管理能力，750V CoolSiC? MOSFET廣泛適用于以下高價(jià)值應(yīng)用：

車載充電器（OBC）

DC-DC轉(zhuǎn)換器與DC-AC逆變器

太陽(yáng)能并網(wǎng)逆變器

電動(dòng)汽車充電樁

AI服務(wù)器電源模塊

此外，英飛凌與奧地利硅實(shí)驗(yàn)室（Silicon Austria Labs）聯(lián)合開發(fā)的“Tiny Power Box”項(xiàng)目也采用了全CoolSiC解決方案，成功打造出一款緊湊型單相7kW車載充電器，充分展示了該系列器件在小型化與高功率密度設(shè)計(jì)中的優(yōu)勢(shì)。

型號(hào)豐富，支持多樣化選型

目前該系列已推出多款標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)，包括但不限于：

AIMDQ75R016M2H

IMDQ75R004M2HN

AIMZA75R040M1H

IMZA75R008M1H

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隨著全球?qū)Ω吣苄А⒏吖β拭芏入娏﹄娮酉到y(tǒng)的需求持續(xù)增長(zhǎng)，英飛凌750V CoolSiC? MOSFET的推出，無(wú)疑為汽車電動(dòng)化、綠色能源與人工智能基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)提供了強(qiáng)有力的器件支持。