近日，安世半導體（Nexperia）宣布推出五款新型1V保護二極管，專為高速交流耦合射頻（RF）信號鏈路設計，旨在滿足USB4?和Thunderbolt?等超高速接口日益嚴苛的ESD與浪涌防護需求。新產品包括PESD1V0C1BSF、PESD1V0H1BSF等型號，面向智能手機、便攜設備、通信系統及計算機外設等應用，提供兼具優(yōu)異射頻性能與高魯棒性的系統級保護方案。

隨著USB4和Thunderbolt接口數據速率突破10 GHz，信號完整性對保護器件的寄生參數極為敏感。傳統ESD保護方案往往在低電容與高防護能力之間難以兼顧。安世此次推出的1V保護二極管系列通過優(yōu)化器件結構與工藝，在確保超低電容的同時，實現強大的瞬態(tài)抑制能力。其典型電容值低至0.1 pF，顯著降低對高頻信號的干擾；在12.8 GHz下插入損耗僅為-0.21 dB，且在高達40 GHz頻率范圍內無諧振現象，確保信號保真度。

在防護性能方面，該系列支持高達±18 kV的IEC 61000-4-2接觸放電保護，并具備出色的浪涌耐受能力，平均峰值脈沖電流（Ipp）可達9.6 A，可有效應對Vbus與高速差分線（TX/RX）之間因非合規(guī)Type-C連接導致的短路事件，保護后端敏感收發(fā)器IC。

安世半導體強調PCB布局對系統級ESD性能的關鍵影響。短走線布局雖有利于高頻傳輸，但可能加劇ESD鉗位效應；而長走線引入的寄生電感雖可緩解鉗位，卻可能惡化信號完整性。為此，新產品系列提供差異化設計選項，使工程師可根據實際布線環(huán)境靈活選型，實現保護性能與信號質量的最佳平衡。

所有器件均采用安世成熟的DSN0603-2（SOD962-2）超小型無引腳封裝，尺寸僅為0.6 mm × 0.3 mm × 0.33 mm，具有極低的封裝電感，進一步優(yōu)化高頻表現。該封裝已廣泛應用于移動終端，具備良好的可制造性與熱穩(wěn)定性。

此外，安世還為該系列提供詳細的射頻參數模型及SEED（System Efficiency and ESD Design）仿真支持，幫助設計人員在早期階段評估器件在實際系統中的性能，縮短開發(fā)周期。

安世半導體高級產品經理Stefan Seider表示：“我們的目標是為高速接口設計提供真正可擴展的保護解決方案。這一新系列不僅提升了電氣性能邊界，更通過模型支持與封裝優(yōu)化，賦予工程師更大的設計自由度。”

隨著高速接口在消費電子與數據中心的普及，兼具低寄生、高防護與小尺寸的ESD器件正成為系統設計的關鍵元件。安世此次推出的1V保護二極管系列，標志著其在高頻保護技術領域的持續(xù)領先，也為下一代高速互連系統的可靠性提供了有力保障。

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