在電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)中，牽引逆變器作為“心臟”部件，直接影響車輛的扭矩輸出、加速度性能與續(xù)航表現(xiàn)。盡管IGBT技術(shù)仍廣泛應(yīng)用于當(dāng)前主流車型，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的開關(guān)特性與導(dǎo)通性能，正逐步成為高效率、高功率密度逆變器設(shè)計的首選。安森美（onsemi）推出的EliteSiC系列產(chǎn)品，圍繞系統(tǒng)級效率優(yōu)化，提供從模塊化解決方案到裸芯自定義設(shè)計的完整技術(shù)路徑。

SiC技術(shù)的核心優(yōu)勢在于顯著降低開關(guān)與導(dǎo)通損耗，尤其在800V高壓平臺下表現(xiàn)突出，可提升逆變器整體效率達(dá)2–4%，并支持更高開關(guān)頻率，減小無源器件體積。安森美提供三種基于EliteSiC的功率級構(gòu)建方式：其一是集成針鰭散熱器的單6-Pack模塊SSDC39，采用凝膠填充封裝與Press-Fit引腳，實現(xiàn)高可靠性與直接冷卻，適用于追求高集成度和快速部署的設(shè)計；其二是AHPM15半橋模塊方案，三顆模塊組合使用，在保證性能的同時提升熱管理與布局靈活性；其三是基于M3e技術(shù)的無封裝裸芯（如NCS025M3E120NF06X），尺寸僅5mm×5mm，導(dǎo)通電阻低至11mΩ（@VGS=18V, ID=135A, TJ=25°C），適用于定制化模塊設(shè)計，最大化功率密度與熱性能。

安森新推出的B2S與B6S工程樣品模塊，基于全新1200V M3e MOSFET技術(shù)，采用可燒結(jié)結(jié)構(gòu)，提升長期可靠性。其中B2S為半橋模塊（58×64×8.6mm），支持靈活拓?fù)渑渲茫籅6S則為集成散熱器的6-Pack大功率模塊，面向高性能電驅(qū)平臺。M3e技術(shù)通過縮小晶胞間距（較M1系列縮小超60%），實現(xiàn)導(dǎo)通電阻與柵極電荷的協(xié)同優(yōu)化，降低Eon+Eoff綜合損耗。

系統(tǒng)層面，安森美配合高性能隔離柵極驅(qū)動器（如NCV51730），確保快速、可靠的PWM信號傳輸，支持高達(dá)100kHz以上的開關(guān)頻率。內(nèi)置溫度、電壓與電流檢測機制，結(jié)合MCU實現(xiàn)閉環(huán)控制，在驅(qū)動與能量回收（再生制動）模式下均保持高效運行。如需NCV51730等產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。