2025年9月24日至26日，亞洲電力電子行業(yè)年度盛會PCIM Asia將在上海新國際博覽中心舉行。安森美（onsemi）將重磅參展，聚焦AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)與汽車三大核心領(lǐng)域，全面展示其在高效能功率技術(shù)方面的前沿成果。繼此前發(fā)布AI與工業(yè)領(lǐng)域展品亮點后，安森美近日率先劇透其在汽車應(yīng)用方向的多項關(guān)鍵技術(shù)方案。

11kW OBC方案：基于DAB架構(gòu)的雙向SiC設(shè)計

面向電動汽車車載充電器（OBC）市場，安森美推出基于M3S EliteSiC?技術(shù)的高性能解決方案。該方案采用雙有源橋（DAB）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，實現(xiàn)交流到直流的高效轉(zhuǎn)換，具備電氣隔離與能量雙向流動能力，支持V2G（Vehicle-to-Grid）應(yīng)用，契合未來智能電網(wǎng)與能源互聯(lián)趨勢。

在11kW系統(tǒng)級別下，該方案可實現(xiàn)高達(dá)97.2%的峰值效率，顯著優(yōu)于行業(yè)平均水平。同時，得益于SiC器件的高頻特性，大幅減少了磁性元件和電容等無源器件的使用，整機功率密度達(dá)到2.3kW/L（含外殼），助力OBC向小型化、輕量化發(fā)展。

主驅(qū)逆變器模塊：低雜感+高集成，驅(qū)動性能躍升

在電動車主驅(qū)逆變器領(lǐng)域，安森美推出基于最新M3e EliteSiC?技術(shù)的功率模塊，專為高功率密度和高可靠性需求打造。該模塊具有低于4nH的極低雜散電感，配合僅1.4mΩ的內(nèi)阻表現(xiàn)，可顯著降低開關(guān)與導(dǎo)通損耗，提升整車?yán)m(xù)航能力。

模塊設(shè)計兼顧制造便利性，支持螺絲連接與壓接兩種安裝方式，適配不同產(chǎn)線工藝需求。同時，安森美配套推出NCV51755隔離式柵極驅(qū)動器，支持15A峰值輸出電流，并提供可調(diào)驅(qū)動強度，優(yōu)化開關(guān)行為。該驅(qū)動器符合ISO 26262 ASIL-D功能安全等級，集成豐富診斷功能，為高安全要求的主驅(qū)系統(tǒng)提供完整信號鏈支持。

區(qū)域架構(gòu)方案：SmartFET融合SmartGuard，重構(gòu)配電系統(tǒng)

隨著汽車電子電氣架構(gòu)向“區(qū)域化”演進，安森美推出集成SmartGuard特性的SmartFET產(chǎn)品，重新定義車載電源管理。該方案支持可配置的I2t保護算法，可替代傳統(tǒng)保險絲與繼電器，實現(xiàn)更精確的過流保護與快速故障響應(yīng)。

此外，其容性負(fù)載安全充電模式可有效抑制上電沖擊，保護敏感電子設(shè)備；低靜態(tài)電流模式則確保在車輛休眠狀態(tài)下功耗極低，保障OTA遠(yuǎn)程升級的穩(wěn)定執(zhí)行，滿足下一代智能電動車對能效與可靠性的雙重需求。

更多創(chuàng)新技術(shù)同步展出

除上述核心方案外，安森美還將展示包括PowerTrench? T10 MOSFET、汽車LED照明驅(qū)動、以及先進的功率器件封裝技術(shù)在內(nèi)的多種解決方案，覆蓋從功率轉(zhuǎn)換到智能控制的廣泛應(yīng)用場景。

作為碳化硅技術(shù)的領(lǐng)先推動者，安森美正通過M3系列SiC平臺，持續(xù)強化其在電動汽車動力總成、充電基礎(chǔ)設(shè)施及智能化配電領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢。此次PCIM Asia展會，不僅是一次技術(shù)集中呈現(xiàn)，更是其“以創(chuàng)新賦能可持續(xù)未來”戰(zhàn)略的生動體現(xiàn)。

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