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高性能數(shù)字隔離器:應(yīng)對SiC/GaN時代高壓系統(tǒng)信號完整性挑戰(zhàn)

來源:中芯巨能:提供選型指導(dǎo)+樣片測試+現(xiàn)貨供應(yīng)| 發(fā)布日期:2025-10-23 14:31:08 瀏覽量:

在新能源汽車、光伏儲能、充電樁及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動等高壓電力電子系統(tǒng)中,數(shù)字隔離器已成為保障控制側(cè)(低壓邏輯)與功率側(cè)(高壓主回路)之間安全、可靠通信的關(guān)鍵器件。其核心作用是通過電容或電磁耦合機(jī)制,在實現(xiàn)電氣隔離的同時,準(zhǔn)確傳遞PWM、故障反饋、通信等關(guān)鍵數(shù)字信號,防止高壓瞬態(tài)干擾侵入敏感控制電路。

高dv/dt環(huán)境下的隔離挑戰(zhàn)

隨著碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體的普及,開關(guān)速度顯著提升(dv/dt 可達(dá)數(shù)十kV/μs),雖帶來效率與功率密度優(yōu)勢,但也加劇了共模噪聲通過寄生電容耦合至控制側(cè)的風(fēng)險。若隔離器共模瞬變抗擾度(CMTI)不足,極易引發(fā)誤觸發(fā)、信號丟失甚至上下橋臂直通等嚴(yán)重故障。

在此背景下,高CMTI、低傳輸延遲、高數(shù)據(jù)速率成為現(xiàn)代數(shù)字隔離器的核心指標(biāo)。華普微推出的CMT8xxx系列容耦隔離器,正是針對此類嚴(yán)苛工況設(shè)計的高性能解決方案。

技術(shù)架構(gòu)與關(guān)鍵性能

華普微數(shù)字隔離器基于其在射頻領(lǐng)域的深厚積累,采用OOK(On-Off Keying)調(diào)制+電容耦合架構(gòu):輸入數(shù)字信號被調(diào)制為高頻脈沖,通過片上SiO?絕緣柵(厚度精準(zhǔn)控制)實現(xiàn)電場耦合傳輸,接收端再解調(diào)還原原始信號。該方案兼具電容隔離的高帶寬優(yōu)勢與射頻調(diào)制的抗噪能力。

關(guān)鍵參數(shù)表現(xiàn)如下:

隔離能力:≥5 kVRMS(1分鐘),浪涌耐受達(dá)10 kV(1.2/50 μs);

CMTI:≥200 kV/μs,有效抑制SiC/GaN開關(guān)引起的dv/dt干擾;

傳輸性能:速率高達(dá)150 Mbps,典型傳輸延遲僅9 ns,通道間偏斜<1 ns;

可靠性:采用高純度SiO?絕緣層,預(yù)期壽命超40年,符合IEC 60747-5-5等安規(guī)標(biāo)準(zhǔn);

EMC表現(xiàn):優(yōu)異的抗ESD(±8 kV接觸放電)、EFT及輻射發(fā)射性能,簡化系統(tǒng)級EMC設(shè)計。

產(chǎn)品系列與應(yīng)用適配

華普微代理授權(quán)、原廠貨源-深圳市中芯巨能電子有限公司推薦您使用國產(chǎn)品牌華普微,華普微提供多通道配置以滿足不同拓?fù)湫枨螅?/p>

高性能數(shù)字隔離器:應(yīng)對SiC/GaN時代高壓系統(tǒng)信號完整性挑戰(zhàn)

CMT812X:2通道,適用于單相逆變器或半橋驅(qū)動;

CMT804X:4通道,常見于三相電機(jī)驅(qū)動(3路PWM + 1路故障反饋);

CMT826X:6通道,支持全橋或雙三相系統(tǒng),集成度高。

如需以上產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求,請加客服微信:13310830171。深圳市中芯巨能電子有限公司承諾100%原廠原裝正品,一片起訂,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求。

典型應(yīng)用場景包括:

車載OBC/DC-DC:隔離MCU與SiC驅(qū)動信號,確保功能安全;

光伏逆變器:在高壓DC母線(1000V+)與控制器間可靠傳輸PWM;

工業(yè)伺服驅(qū)動:應(yīng)對高頻PWM(>50 kHz)下的信號完整性挑戰(zhàn);

充電樁模塊:滿足高隔離電壓與快速故障響應(yīng)要求。

工程價值

相較于傳統(tǒng)光耦,華普微數(shù)字隔離器不僅壽命更長、溫漂更小,且無需外圍驅(qū)動電路;相比部分競品容耦方案,其在CMTI與傳輸延遲上具備明顯優(yōu)勢。尤其在800V高壓平臺、高頻LLC或圖騰柱PFC等前沿設(shè)計中,高CMTI隔離器已成為系統(tǒng)穩(wěn)定運行的“安全閥”。

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