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三星電子領先PLP領域，臺積電加快研究進程
發(fā)布時間：2024-06-29
近期，三星電子在半導體封裝領域取得了重大進展，尤其在面板級封裝（PLP）領域超越了臺積電。2019年，三星電子以7850億韓元（約合5.81億美元）從三星電機手中收購了PLP業(yè)務，為其目前的發(fā)展奠定了基礎。今年3月的股東大會上，三星電子半導體業(yè)務（DS）部門前負...
英集芯IP6805U：無線充電發(fā)射端控制SoC芯片
發(fā)布時間：2024-06-29
IP6805U簡介IP6805U是英集芯一款無線充電發(fā)射端控制SoC芯片，兼容 WPC Qi v1.2.4 最新標準，支持A11或A11a 線圈，支持 5W 充電。IP6805U通過analogping 檢測到無線接收器，并建立與接收端之間的通信，則開始功率傳輸。IP6805U解碼從接收器發(fā)送的通...
瑞薩電子發(fā)布第5代R-Car產(chǎn)品家族,引領汽車電子革新
發(fā)布時間：2024-06-29
作為全球微控制器（MCU）領域的重要供應商，瑞薩電子在汽車平臺設計中發(fā)揮著舉足輕重的作用。最近，瑞薩電子發(fā)布了全新一代車載數(shù)字產(chǎn)品家族，其中包括新型MCU和片上系統(tǒng)（SoC）解決方案的路線圖，進一步拓展了其業(yè)務范圍。未來幾年，我們將陸續(xù)推出基于第5...
ADI MEMS傳感器發(fā)展史
發(fā)布時間：2024-06-29
自從MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）技術被引入傳感器領域以來，ADI（Analog Devices Inc. 美國模擬設備公司）在該領域的發(fā)展歷程可謂是一部輝煌的史詩。ADI MEMS傳感器的發(fā)展始于20世紀90年代，至今已經(jīng)成為全球領先的MEMS傳感器制造商之...
意法半導體推出新型VNF9Q20F車規(guī)級高邊功率開關管
發(fā)布時間：2024-06-29
意法半導體（ST）近日宣布其最新系列車規(guī)級高邊功率開關管正式投入量產(chǎn)，這一創(chuàng)新系列不僅集成了公司獨有的智能熔斷保護技術STi2Fuse，還支持SPI數(shù)字接口，為汽車電子設計帶來了前所未有的靈活性與功能安全性提升。革新之作：VNF9Q20F功率開關引領智...
MOS管輸入電阻高，為何一遇靜電就“不行”？
發(fā)布時間：2024-06-28
MOS管是一種常用的場效應管，其輸入電阻通常很高，這使得它在許多電路中具有重要的作用。然而，有時候我們會發(fā)現(xiàn)，即使MOS管的輸入電阻很高，一旦遇到靜電，它就似乎變得“不行”了。那么，究竟是什么原因導致MOS管在靜電作用下表現(xiàn)出異常的現(xiàn)象呢？首先，...
哪個特點限制了絕緣柵雙極晶體管電流容量？
發(fā)布時間：2024-06-28
在電子器件中，絕緣柵雙極晶體管（IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種常用的功率半導體器件，其具有高功率密度和高效率的特點，廣泛應用于電力電子、馬達控制等領域。然而，雖然IGBT有很多優(yōu)點，但也存在一些特點會限制其電流容量。1. IGBT...
MOS管構成電流鏡結構電流和工作狀態(tài)如何分析？
發(fā)布時間：2024-06-28
在電子電路設計中，電流鏡（Current Mirror）結構是一種常用的電路形式，用于實現(xiàn)電流的復制和穩(wěn)定。特別是在MOS管電路中，電流鏡結構起著至關重要的作用。MOS管供應商-中芯巨能將著重介紹MOS管構成的電流鏡結構電流和工作狀態(tài)的分析方法。1. MOS管...
MOS管的最大持續(xù)電流是如何確定?
發(fā)布時間：2024-06-28
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常用的場效應管，廣泛應用于各種電子設備和電路中。在設計電路時，確定MOS管的最大持續(xù)電流是非常重要的，這將直接影響電路的可靠性和性能。下面將詳細介紹MOS管的最大持續(xù)電流是...
2024年芯片市場動向及大廠最新行情
發(fā)布時間：2024-06-28
根據(jù)最新數(shù)據(jù)顯示，2024年1-4月份存儲芯片銷售額同比增長約85.4%，DRAM和NAND的市場價格持續(xù)上漲，較去年同期漲價約50%。存儲芯片市場的反彈勢頭迅猛，全球半導體行業(yè)增速也被上調(diào)至16.0%，預計年銷售額將達6112億美元，創(chuàng)歷史新高。有關芯片市場是否...
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