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Vishay榮獲大陸汽車電子（長春）2023年度供應(yīng)鏈卓越獎
發(fā)布時間：2024-06-28
近期，全球知名的電子元器件制造商Vishay宣布了一項(xiàng)重要榮譽(yù)：公司成功摘得大陸汽車電子（長春）有限公司頒發(fā)的2023年度供應(yīng)鏈卓越獎。大陸汽車電子（長春）作為《財富》世界500強(qiáng)企業(yè)德國大陸集團(tuán)在中國長春設(shè)立的研發(fā)與制造重鎮(zhèn)，該獎項(xiàng)的授予不僅是...
微型特斯拉線圈電路中三極管的作用
發(fā)布時間：2024-06-28
微型特斯拉線圈（Micro Tesla Coil）是一種小型化的特斯拉線圈，常用于科研實(shí)驗(yàn)、DIY電子項(xiàng)目或教學(xué)演示中。在微型特斯拉線圈電路中，三極管扮演著重要的角色，起著控制和放大信號的作用。下面將詳細(xì)介紹在微型特斯拉線圈電路中三極管的作用及其原...
Microchip發(fā)布面向VS Code的MPLAB擴(kuò)展早期體驗(yàn)版本
發(fā)布時間：2024-06-28
Microchip Technology（微芯科技公司）今日發(fā)布了面向Microsoft? Visual Studio? Code (VS Code?)的 MPLAB?擴(kuò)展（MPLAB? Extensions）早期體驗(yàn)版本，旨在充分利用VS Code的多功能性。這一舉措為嵌入式設(shè)計(jì)人員提供了將項(xiàng)目從MPLAB X集成開發(fā)環(huán)...
歐洲半導(dǎo)體廠商N(yùn)experia宣布在漢堡投資2億美元發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時間：2024-06-28
近日，全球知名半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）宣布計(jì)劃在漢堡工廠投資2億美元（約合1.84億歐元），用于研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），并建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。同時，公司還將增加硅（Si）二極管和晶體管的產(chǎn)能。這一重大投資是為了...
【科普】雙向二極管的廣泛應(yīng)用領(lǐng)域
發(fā)布時間：2024-06-27
雙向二極管（Bidirectional Diode），也稱為雙向恒流二極管或雙向TVS二極管，是一種特殊用途的二極管，具有正反向承受電壓的能力，并能有效地保護(hù)電路免受電壓過高的沖擊。雙向二極管在眾多領(lǐng)域中都有著廣泛的應(yīng)用，二極管供應(yīng)商-中芯巨能將為您介紹雙...
N溝MOS管接電源正負(fù)極連接指南
發(fā)布時間：2024-06-27
N溝MOS管（N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常用的半導(dǎo)體器件，用于控制和放大電流。在應(yīng)用中，正確連接電源正負(fù)極至N溝MOS管是至關(guān)重要的。MOS管供應(yīng)商-中芯巨能將介紹N溝MOS管如何接電源正負(fù)極，以確保器件...
IAR與矽力杰共同助力中國汽車行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展
發(fā)布時間：2024-06-27
2024年6月26日，中國上海——全球領(lǐng)先的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)軟件解決方案供應(yīng)商IAR與矽力杰半導(dǎo)體宣布，最新版本IAR Embedded Workbench for Arm 全面支持矽力杰SA32BXX車規(guī)ASIL-B MCU，助力中國汽車行業(yè)開發(fā)者的創(chuàng)新研發(fā)。作為模擬和數(shù)字半導(dǎo)體領(lǐng)先...
MOS場效應(yīng)管在可變電阻區(qū),漏源電阻RDS受誰控制
發(fā)布時間：2024-06-27
在MOS場效應(yīng)管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的工作中，一個重要參數(shù)是漏源電阻（RDS）。特別是在MOS管處于可變電阻區(qū)時，RDS的大小對其性能和特性起著關(guān)鍵作用。那么在可變電阻區(qū)，MOS場效應(yīng)管的漏源電阻受誰控制呢？這是一個值...
探究MOS管和BJT內(nèi)部的極間電容
發(fā)布時間：2024-06-27
當(dāng)談及半導(dǎo)體器件中的極間電容時，MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）和BJT（Bipolar Junction Transistor）是兩種常見且重要的器件類型。這些器件內(nèi)部包含不同類型的極間電容，影響著其性能和特性。MOS管供應(yīng)商-中芯巨能將...
探究半導(dǎo)體的oVL測量技術(shù)
發(fā)布時間：2024-06-26
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體材料在電子行業(yè)中扮演著越來越重要的角色。為了確保半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)質(zhì)量和性能，常常需要對其進(jìn)行精密的測量和分析。其中，oVL（overlay）測量技術(shù)作為一項(xiàng)重要的半導(dǎo)體測量技術(shù)，在半導(dǎo)體生產(chǎn)領(lǐng)域中發(fā)揮著關(guān)鍵的作用...
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