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2ED27XXS01G系列的特點及應用領域
發(fā)布時間：2024-01-04
2ED27XXS01G系列是MOTIX? 160V HB和HS+LS SOI（絕緣體上硅）柵極驅(qū)動器集成電路，采用VSON10、3x3 mm小尺寸封裝，具有2 種不同的源/漏電流，用于驅(qū)動N溝道MOSFET。該產(chǎn)品集成自舉二極管（典型值為38 Ω），用于為外部高壓側(cè)自舉電容器供電，并具有Vcc和VB...
DRAM價格調(diào)漲預期：存儲器市場趨勢及展望
發(fā)布時間：2024-01-04
存儲器市場一直處于不斷波動和變化之中。最近的消息顯示，幾大存儲器廠商正籌劃在今年第一季度上調(diào)DRAM價格，預計漲幅達15%-20%。這一調(diào)整旨在提前引導客戶規(guī)劃未來的需求，并已有廠商收到了三星漲價的通知。這一舉動預示著存儲器市場或?qū)⒚媾R...
半導體大功率器件可以分為哪幾類
發(fā)布時間：2024-01-03
半導體大功率器件在現(xiàn)代電子設備和系統(tǒng)中扮演著至關重要的角色。它們廣泛應用于能源轉(zhuǎn)換、電力傳輸和控制系統(tǒng)等領域。半導體大功率器件可以分為幾種不同類型，每種類型都有其特定的應用和優(yōu)勢。電子元器件現(xiàn)貨供應商-中芯巨能（中芯巨能：現(xiàn)貨...
門電路的符號在電路圖中起到什么作用
發(fā)布時間：2024-01-03
門電路在電子電路設計中扮演著重要的角色。門電路的符號在電路圖中起到了標識和描述其功能的作用。電子元器件現(xiàn)貨供應商-中芯巨能為您介紹門電路符號的作用。門電路是數(shù)字電子領域中最基本的構建模塊之一。它們被用來執(zhí)行邏輯操作，從而控...
安森美 AR0220AT 傳感器：提高汽車在低光條件下的安全性能
發(fā)布時間：2024-01-03
?盡管汽車技術不斷進步，包括碰撞結構、安全氣囊、剎車和輪胎等方面的提升，提高了車輛的安全性，但我們?nèi)匀幻媾R著各種道路風險，尤其是在低光條件下。在這種情況下，高性能汽車傳感器成為確保行車安全的關鍵。安森美(onsemi)的AR0220AT傳感器是一...
英偉達投資巨資以確保HBM3內(nèi)存供應，AI領域或?qū)⒂瓉肀l(fā)式增長
發(fā)布時間：2024-01-03
據(jù)知情人士透露，英偉達不僅大量預定了臺積電的產(chǎn)能，還投入了巨資以確保其HBM3內(nèi)存的供應。公司已經(jīng)從美光和SK海力士處預購了價值介于700億至1萬億韓元的HBM3內(nèi)存。盡管目前尚無公開的具體用途信息，但業(yè)內(nèi)人士普遍認為這一舉措旨在確保2024年...
單片機具有哪些優(yōu)點和局限性
發(fā)布時間：2024-01-03
當涉及到嵌入式系統(tǒng)設計和電子設備開發(fā)時，單片機是一種常用的關鍵元件。它們是在一個芯片上集成了中央處理器、內(nèi)存和各種外圍設備的微型計算機。下面由電子元器件現(xiàn)貨供應商-中芯巨能介紹單片機優(yōu)點和局限性。...
IGBT 飽和壓降的測量方法有哪些？【解答】
發(fā)布時間：2024-01-03
問：IGBT 飽和壓降的測量方法有哪些？電子元器件供應商-中芯巨能答：1. 電壓比較法：通過比較IGBT 的飽和狀態(tài)和非飽和狀態(tài)下的電壓差異來測量飽和壓降。2. 電流比較法：通過比較IGBT 的飽和狀態(tài)和非飽和狀態(tài)下的電流差異來測量飽和壓降。...
IGBT 的飽和區(qū)對電路性能有什么影響？【解答】
發(fā)布時間：2024-01-03
問：IGBT 的飽和區(qū)對電路性能有什么影響？電子元器件供應商-中芯巨能答：IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的飽和區(qū)對電路性能有以下影響：1. 低導通壓降：在飽和區(qū)，IGBT 的導通壓降較小，可以減小功率損耗，提高電路效率。...
普冉半導體：通用MCU產(chǎn)品的發(fā)展歷程與市場策略
發(fā)布時間：2024-01-02
普冉半導體作為行業(yè)領先的低功耗、高可靠性非易失性存儲器芯片設計公司，基于領先的嵌入式工藝開發(fā)和存儲器設計技術，于2020年第三季度啟動了基于ARM內(nèi)核的通用MCU產(chǎn)品線設計，并于2021年第四季度完成驗證。隨后，于2022年初啟動全面的市場推廣，歷...
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