安世半導(dǎo)體榮獲2024年度全球電子成就獎“年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎”
在年度全球電子成就獎(World Electronics Achievement Awards)的頒獎典禮上,安世半導(dǎo)體憑借其1200 V SiC(碳化硅)MOSFET在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越表現(xiàn),榮獲“年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎”。這一獎項(xiàng)不僅是對安世半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體市場領(lǐng)導(dǎo)地位的認(rèn)可,更...