BSS138LT1G是ON Semiconductor（安森美）邏輯電路芯片。代理銷售ON安森美半導(dǎo)體旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能將為大家提供BSS138LT1G中文資料：中文參數(shù)詳解、功能特點(diǎn)及應(yīng)用領(lǐng)域。

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BSS138LT1G中文資料

BSS138LT1G 是一款單路、兩輸入與門，由于采用了尖端 CMOS 技術(shù)，可在寬 VCC 工作范圍內(nèi)以超快的速度和高輸出驅(qū)動運(yùn)行。該器件設(shè)計(jì)為在 1.65 至 5.5V VCC 工作范圍內(nèi)運(yùn)行。當(dāng)VCC為0V時(shí)，輸入和輸出呈高阻抗。無論 VCC 工作電壓如何，輸入均可承受高達(dá) 6V 的電壓。該產(chǎn)品用途廣泛，適合一般用途。以下是中文參數(shù)詳解、功能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域等內(nèi)容：

一、BSS138LT1G中文參數(shù)詳解

品牌：Onsemi, 安森美半導(dǎo)體

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：50V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：200mA（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3.5 歐姆 @ 200mA，5V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：50pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：225mW（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：SOT-23-3（TO-236）

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二、BSS138LT1G功能特點(diǎn)

1. 低門源電壓（Vgs）：BSS138LT1G具有低的門源電壓要求，適合在低電壓電路中使用。

2. 低開關(guān)電阻：該器件具有低的開關(guān)電阻，能夠提供較高的導(dǎo)通電流。

3. 高速開關(guān)特性：BSS138LT1G具有快速的開關(guān)特性，適合用于高頻率的開關(guān)電路。

4. 低靜態(tài)功耗：由于其低門源電壓和低開關(guān)電阻，該器件在導(dǎo)通狀態(tài)下具有較低的靜態(tài)功耗。

三、BSS138LT1G應(yīng)用領(lǐng)域

1. 低壓驅(qū)動電路：由于其低門源電壓要求，BSS138LT1G適合用于低壓驅(qū)動電路，如便攜設(shè)備中的電源管理電路。

2. 開關(guān)電路：由于其高速開關(guān)特性和低開關(guān)電阻，該器件適合用于各種類型的開關(guān)電路，包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、LED驅(qū)動器等。

3. 信號開關(guān)：BSS138LT1G也可以用于各種類型的信號開關(guān)電路，如模擬開關(guān)、數(shù)字開關(guān)等。