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LTC7897:高壓非隔離降壓方案

來源:亞德諾半導體代理授權、原廠貨源-中芯巨能| 發(fā)布日期:2025-10-09 18:00:01 瀏覽量:

在高電壓電源系統(tǒng)中,傳統(tǒng)設計常采用反激或正激等基于變壓器的拓撲結構實現(xiàn)電壓轉換。然而,這類方案需使用體積大、成本高的變壓器,增加了設計復雜性和EMI風險。亞德諾半導體(ADI)的LTC7897高壓降壓控制器,為工程師提供了一種高效、簡潔的非隔離替代方案,支持輸入電壓高達135V(絕對最大值140V),適用于無需電氣隔離的高壓直流轉換應用。

高壓降壓拓撲原理與挑戰(zhàn)

典型的無變壓器降壓轉換器(Buck Converter)通過開關S1和S2控制電感儲能與釋放,實現(xiàn)高效降壓。其關鍵限制在于:高端MOSFET的柵極驅動電壓必須高于輸入電壓,以確保完全導通。例如,當VIN=100V時,柵極驅動需達到105–110V(考慮閾值電壓)。因此,控制器內部必須集成高壓電平移位電路或自舉驅動機制。

LTC7897采用外部N溝道MOSFET構成同步整流架構,其內置柵極驅動器可支持高達140V的BOOT至SW電壓差,滿足高壓側開關的驅動需求。該器件工作于電流模式控制,開關頻率可在50kHz至500kHz范圍內編程,支持輕載脈沖跳躍模式以提升效率。

典型應用:高壓轉低壓

在標準降壓配置下,LTC7897可將100V輸入降至12V輸出,并支持高達20A的連續(xù)負載電流。由于采用分立式MOSFET設計,工程師可根據導通損耗、熱性能和成本目標靈活選擇器件。例如,選用低RDS(ON)的N溝道MOSFET可降低傳導損耗,提升整體效率至90%以上。

此外,該控制器具備精確的電流檢測功能,支持峰值電流限制和均流控制,適用于多相并聯(lián)擴展設計。

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反相降壓-升壓拓撲:生成高壓負電壓

LTC7897還可配置為反相降壓-升壓(Inverting Buck-Boost)拓撲,用于從正輸入生成負輸出電壓。例如,將**+48V轉換為-65V**,廣泛應用于工業(yè)儀表、通信基站和測試設備中的雙極性電源系統(tǒng)。

在此模式下,開關器件承受的最大電壓應力為 |VIN| + |VOUT|。上述48V轉-65V應用中,MOSFET和二極管需耐受至少113V電壓。LTC7897的高電壓額定能力使其成為此類應用的理想選擇。

關鍵特性與設計優(yōu)勢

寬輸入范圍:4.5V至135V,支持12V、24V、48V及更高母線電壓。

高效率:同步整流架構減少二極管壓降損耗,典型效率>90%。

高功率密度:無需變壓器,僅需單個電感,顯著減小PCB面積。

保護功能:集成過流保護(OCP)、過溫保護(OTP)和UVLO。

EMI優(yōu)化:可編程slew rate控制開關邊沿,降低噪聲。

設計注意事項

輸入端需使用高壓陶瓷或薄膜電容進行去耦;

電感選型應考慮飽和電流和溫升;

PCB布局需縮短功率環(huán)路,減少寄生電感;

散熱設計應確保MOSFET結溫在安全范圍內。

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