NCV51563是安森美（onsemi）一款高性能、汽車級(jí)雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高速驅(qū)動(dòng)MOSFET和碳化硅（SiC）MOSFET功率開(kāi)關(guān)而設(shè)計(jì)。該器件集成了高電流輸出能力、優(yōu)異的隔離性能與關(guān)鍵保護(hù)功能，適用于工業(yè)、通信及高可靠性電源系統(tǒng)。來(lái)自全球授權(quán)的安森美代理商、原廠貨源-深圳市中芯巨能電子有限公司為您提供NCV51563技術(shù)參數(shù)詳解、引腳圖、典型應(yīng)用電路圖及訂購(gòu)料號(hào)。

NCV51563技術(shù)參數(shù)詳解

核心特性與電氣參數(shù)

NCV51563提供4.5 A峰值拉電流和9 A峰值灌電流輸出能力，支持快速開(kāi)關(guān)動(dòng)作，顯著降低功率器件的開(kāi)關(guān)損耗，特別適合高頻硬開(kāi)關(guān)拓?fù)鋺?yīng)用。其輸出電壓范圍寬達(dá)6.5 V至30 V，兼容邏輯電平與標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)需求，并內(nèi)置三級(jí)欠壓鎖定（UVLO）閾值（5 V、8 V、17 V），確保在輸入電壓異常時(shí)可靠關(guān)斷功率管。

器件具備出色的動(dòng)態(tài)性能：典型傳播延遲僅為36 ns，通道間最大延遲匹配控制在8 ns以內(nèi)，有助于提高橋式電路中上下管的時(shí)序一致性，減少死區(qū)誤差，提升系統(tǒng)效率。同時(shí)，高達(dá)>200 V/ns的共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）確保在高dv/dt噪聲環(huán)境下仍能穩(wěn)定工作，防止誤觸發(fā)。

隔離架構(gòu)與靈活配置

NCV51563采用SOIC-16封裝（省去引腳12和13），實(shí)現(xiàn)輸入與雙輸出通道之間5 kVRMS（UL1577認(rèn)證）的增強(qiáng)型光耦隔離。輸出通道間可承受最高1500 V峰值差分電壓，滿足IEC 60950/62368等安全標(biāo)準(zhǔn)要求，適用于高絕緣等級(jí)的應(yīng)用場(chǎng)景。

兩個(gè)獨(dú)立的隔離驅(qū)動(dòng)通道可靈活配置為：雙低邊驅(qū)動(dòng)、雙高邊驅(qū)動(dòng)或半橋驅(qū)動(dòng)模式。通過(guò)ANB引腳可編程選擇單輸入或雙輸入邏輯模式，配合外部邏輯電路可實(shí)現(xiàn)用戶可編程死區(qū)時(shí)間控制，增強(qiáng)了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的靈活性與安全性。

集成保護(hù)功能

器件集成多項(xiàng)關(guān)鍵保護(hù)機(jī)制：

獨(dú)立欠壓鎖定（UVLO）：每個(gè)通道均具備獨(dú)立UVLO檢測(cè)，防止因供電不足導(dǎo)致的非飽和導(dǎo)通。

使能（Enable）功能：EN引腳可同時(shí)關(guān)閉兩個(gè)輸出通道，便于系統(tǒng)進(jìn)入低功耗或故障保護(hù)狀態(tài)。

高噪聲抑制能力：結(jié)合高CMTI與精確傳播延遲匹配，有效抑制電磁干擾對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的影響。

NCV51563引腳圖

NCV51563典型應(yīng)用領(lǐng)域

NCV51563廣泛應(yīng)用于需要高可靠性和高性能隔離驅(qū)動(dòng)的場(chǎng)合，包括：

DC-DC與AC-DC隔離電源：如服務(wù)器電源、電信整流器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器；

不間斷電源（UPS）：用于PFC級(jí)或DC-DC變換級(jí)中的橋式開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)；

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)：適用于變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器中的功率級(jí)控制；

車載充電機(jī)（OBC）與充電樁：尤其適合搭配SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)高效高頻開(kāi)關(guān)。

NCV51563典型應(yīng)用電路圖

NCV51563訂購(gòu)料號(hào)

NCV51563BBDWR2G

NCV51563CADWR2G

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