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安世半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品的卓越優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用領(lǐng)域介紹

來(lái)源：安世半導(dǎo)體代理| 發(fā)布日期：2024-05-28 13:45:08 瀏覽量：

安世半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品的主要優(yōu)勢(shì)在于其出色的性能平衡。通過(guò)創(chuàng)新工藝技術(shù)，首款SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的溫度穩(wěn)定性，工作溫度范圍25℃至175℃內(nèi)，RDS(on)標(biāo)稱值僅增加38%。其總柵極電荷(QG)低，帶來(lái)更低的柵極驅(qū)動(dòng)損耗，同時(shí)QGD與QGS比率低，提高了器件對(duì)寄生導(dǎo)通的抗擾度。此外，SiC MOSFET的VGS(th)閾值電壓器件間分布差異低，體二極管正向電壓(VSD)較低，有助于提高器件的穩(wěn)健性和效率。

安世半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品的卓越優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用領(lǐng)域介紹

為確保碳化硅器件的質(zhì)量和可靠性，安世半導(dǎo)體進(jìn)行了2000小時(shí)的可靠性測(cè)試，同時(shí)超出市場(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)，還進(jìn)行額外的工業(yè)和車規(guī)可靠性測(cè)試。研發(fā)團(tuán)隊(duì)擁有多年碳化硅開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，產(chǎn)品質(zhì)量控制達(dá)到PPB級(jí)別標(biāo)準(zhǔn)，每10億顆器件的失效率極低。在RDson溫漂數(shù)據(jù)方面，產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDSon溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度范圍內(nèi)，RDSon的標(biāo)稱值僅增加38%。

安世半導(dǎo)體的碳化硅分立器件可廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車OBC、DC-DC、充電樁、UPS、太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)逆變器等領(lǐng)域，滿足對(duì)高性能SiC MOSFET的需求。該公司的碳化硅驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-5V至+15V/+18V，在-10V和+22V的上下限范圍內(nèi)。此外，安世半導(dǎo)體的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET、模擬和邏輯IC以及IGBT等特色產(chǎn)品。如需選型指導(dǎo)、樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。

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