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Vishay 推出第三代1200V碳化硅肖特基二極管,革新電源設(shè)計(jì)效能與可靠性

來源:Vishay官網(wǎng)| 發(fā)布日期:2024-07-07 18:00:04 瀏覽量:

全球領(lǐng)先的電子元器件制造商Vishay Semiconductor近日宣布,成功研發(fā)并推出了16款新型第三代1200V碳化硅(SiC)肖特基二極管,這些器件采用了先進(jìn)的混合PIN肖特基(MPS)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),旨在提供卓越的浪涌電流保護(hù)性能,同時(shí)展現(xiàn)出低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流等多重優(yōu)勢,為開關(guān)電源設(shè)計(jì)帶來前所未有的能效與可靠性提升。

創(chuàng)新技術(shù),引領(lǐng)行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)

此次發(fā)布的第三代SiC二極管涵蓋了從5A至40A的電流范圍,采用多種封裝形式,包括TO-220AC 2L、TO-247AD 2L、TO-247AD 3L插件封裝以及D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面貼裝封裝。借助創(chuàng)新的MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與激光退火背面減薄技術(shù),二極管的電容電荷可低至28nC,正向壓降降至1.35V,極大地降低了導(dǎo)通損耗。在25°C的條件下,典型反向漏電流僅為2.5μA,確保了系統(tǒng)在輕載和空載狀態(tài)下的高能效。與傳統(tǒng)的超快恢復(fù)二極管相比,Vishay的第三代SiC二極管幾乎消除了恢復(fù)拖尾,進(jìn)一步提升了系統(tǒng)效率。

應(yīng)用廣泛,適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境

這些碳化硅二極管在FBPS(Forward Boost Power Supply)和LLC轉(zhuǎn)換器的AC/DC功率因數(shù)校正(PFC)及DC/DC超高頻輸出整流中展現(xiàn)出卓越性能,適用于光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)工具以及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的應(yīng)用。即使在高達(dá)+175°C的工作溫度下,這些器件依然能保持穩(wěn)定的性能,正向額定浪涌電流保護(hù)能力高達(dá)260A。值得一提的是,采用D2PAK 2L封裝的二極管使用了高CTI≥600的塑封料,確保了在電壓升高時(shí)的優(yōu)異絕緣性能,為系統(tǒng)安全提供了堅(jiān)實(shí)的保障。

高可靠性,符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

Vishay的第三代碳化硅二極管經(jīng)過嚴(yán)格測試,展現(xiàn)出極高的可靠性。它們符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),不含鹵素,并通過了2000小時(shí)的高溫反偏(HTRB)測試和2000次的熱循環(huán)溫度循環(huán)測試,證明了其在極端條件下的持久耐用性。

Vishay此次推出的第三代1200V碳化硅肖特基二極管,以其卓越的性能和可靠性,為電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域帶來了革命性的突破。無論是高能效、低損耗還是在嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定表現(xiàn),這些新型器件都將為工程師們提供前所未有的設(shè)計(jì)自由度,推動(dòng)電源技術(shù)向更高水平邁進(jìn)。

附16 款新型第三代 1200 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管型號(hào)表

附16 款新型第三代 1200 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管型號(hào)表

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