龍騰半導體發(fā)布1200V 50A Field Stop Trench IGBT，革新高頻應用領域

來源：龍騰半導體| 發(fā)布日期：2025-05-03 14:00:02 瀏覽量：

=在功率器件技術日新月異的今天，如何進一步降低損耗、增強產品可靠性以及拓展應用場景，成為了行業(yè)內眾多企業(yè)競相追求的目標。近日，龍騰半導體推出了一款全新的1200V 50A Field Stop Trench IGBT（型號：LKB50N120MF1M），為工業(yè)逆變、不間斷電源（UPS）、新能源等關鍵領域帶來了高效能解決方案。

此次推出的IGBT新品，專為滿足高頻應用場景需求而設計，基于先進的工藝平臺與系統(tǒng)化設計理念，實現了性能上的重大突破。通過采用Field Stop Trench技術平臺，并結合優(yōu)化后的溝槽柵結構，這款IGBT不僅有效降低了導通和開關損耗，同時提升了開關速度，擁有更寬的安全工作區(qū)（SOA）。這些特性使得該產品特別適合于需要高速開關操作且對系統(tǒng)效率及運行穩(wěn)定性要求較高的環(huán)境。

從電性能指標來看，LKB50N120MF1M表現出色。其集電極-發(fā)射極電壓達到了1200V，額定電流為50A，最大功耗在25°C條件下可達399W。此外，飽和壓降典型值為1.85V，關斷損耗典型值為1.86mJ。這些優(yōu)異的數據表明了該產品在實際應用中具有卓越的表現。

龍騰IGBT系列型號匯總

LKB75N65MFC2

LKB50N65MM1

LKB40N65TF1

LKB40N120MM1B

LKB40N120MF1

LKB50N120MF1MM

LKB60N65UF1

LKBA75N65MMM1

LKB75N120UF1

LKB40N65TM2

LKA40N65TF2

LKB75N65MM1

LKB40N65TM1

LKB40N65TF2

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值得注意的是，這款IGBT在熱/電特性曲線方面也做了精心設計。無論是輸出特性、開關損耗還是結溫限制，都充分考慮到了客戶在真實使用場景下的具體需求，確保了設備具備出色的熱穩(wěn)定性和抗沖擊能力。這無疑為其在各種復雜工況下的穩(wěn)定運行提供了堅實保障。

針對不同的應用場景，這款1200V IGBT展現出了廣泛的應用潛力。例如，在UPS與數據中心電源中，它能夠提供更加可靠穩(wěn)定的電力支持；對于電焊機和感應加熱設備而言，則有助于提升工作效率；而在光伏與儲能逆變器、電動車DC-AC/DC-DC變換等領域，其高性能特性更是能夠顯著改善整體系統(tǒng)的效能表現。

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