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T2PAK封裝引領(lǐng)變頻器設(shè)計(jì)革新,實(shí)現(xiàn)全貼片化升級(jí)

來(lái)源:揚(yáng)杰科技| 發(fā)布日期:2025-06-06 10:00:01 瀏覽量:

隨著電力電子系統(tǒng)向高密度、小型化方向發(fā)展,傳統(tǒng)采用TO-247與扁橋封裝的功率模塊方案正面臨空間布局和自動(dòng)化生產(chǎn)瓶頸。一種更具優(yōu)勢(shì)的替代方案——T2PAK封裝技術(shù),正在變頻器應(yīng)用中嶄露頭角,推動(dòng)從插裝到全貼片工藝的轉(zhuǎn)型。

封裝尺寸優(yōu)化:空間利用率大幅提升

T2PAK封裝本體尺寸為14mm×18.5mm,相較于傳統(tǒng)TO-247折彎封裝(15.8mm×25mm),其投影面積縮小達(dá)34.4%。在PCB布局層面,T2PAK貼片安裝方式進(jìn)一步釋放了空間資源,整體占用面積減少超過(guò)32%,顯著提升了功率電路的集成度,尤其適用于對(duì)體積敏感的伺服驅(qū)動(dòng)、工業(yè)變頻等應(yīng)用場(chǎng)景。

電學(xué)性能提升:更低損耗與更強(qiáng)穩(wěn)定性并存

T2PAK封裝內(nèi)部采用微溝槽IGBT芯片技術(shù),在導(dǎo)通壓降(Vce_sat)、開(kāi)關(guān)損耗及高溫穩(wěn)定性方面表現(xiàn)優(yōu)異。以15A/1200V器件為例,在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下(Rg=47Ω,Vge=0~15V,fs=8kHz),其導(dǎo)通壓降明顯低于傳統(tǒng)方案,有效降低整機(jī)功耗。

此外,該封裝在保持優(yōu)異熱管理和電氣性能的同時(shí),仍具備出色的短路耐受能力,保障設(shè)備在復(fù)雜工況下的穩(wěn)定運(yùn)行。

多電壓平臺(tái)兼容,型號(hào)覆蓋廣泛

目前,揚(yáng)杰科技T2PAK封裝已實(shí)現(xiàn)650V與1200V兩個(gè)主流電壓等級(jí)產(chǎn)品的全面覆蓋,可滿足不同功率段變頻器需求。主要產(chǎn)品包括:

IGBT系列:DGW15N120CTL1A、DGW25N120CTL1A、DGBB10N65CTL0、DGBB15N65CTL0、DGBB20N65CTL0、DGBB30N65CTL2A、DGBB40N65CTL2A;

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整流二極管系列:MGS152400SC、MGS202000SC。

如需以上產(chǎn)品規(guī)格書(shū)、樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求,請(qǐng)加客服微信:13310830171。

這些產(chǎn)品不僅支持獨(dú)立使用,還可與半橋結(jié)構(gòu)搭配,構(gòu)建完整的功率轉(zhuǎn)換模塊解決方案,廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制、伺服驅(qū)動(dòng)、UPS及新能源設(shè)備中。

貼片工藝適配:助力智能制造升級(jí)

T2PAK采用頂部散熱貼片封裝形式,完全適配SMT(表面貼裝)產(chǎn)線流程,極大簡(jiǎn)化了制造工藝,提高了裝配效率與良率。相比傳統(tǒng)插件方案,其更易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)與回流焊控制,是未來(lái)功率模塊標(biāo)準(zhǔn)化、模塊化設(shè)計(jì)的重要趨勢(shì)。

結(jié)語(yǔ)

隨著T2PAK封裝在性能、尺寸與工藝上的多重突破,其在伺服變頻、工業(yè)電源等領(lǐng)域的應(yīng)用前景日益廣闊。該技術(shù)不僅代表了功率器件封裝形式的一次重要演進(jìn),也為工程師提供了更高效率、更低成本的設(shè)計(jì)路徑。未來(lái),隨著更多廠商跟進(jìn)支持,T2PAK有望成為新一代變頻器功率器件的標(biāo)準(zhǔn)封裝形態(tài)。

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