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英飛凌推出頂部散熱Q-DPAK封裝CoolSiC? SiC MOSFET,賦能高功率工業(yè)應(yīng)用

來(lái)源:英飛凌| 發(fā)布日期:2025-05-30 14:05:54 瀏覽量:

近日,英飛凌科技正式發(fā)布采用新型頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列器件基于第二代碳化硅(SiC)技術(shù)打造,面向包括電動(dòng)汽車(chē)充電、光伏逆變器、不間斷電源(UPS)、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、人工智能服務(wù)器電源及智能電網(wǎng)等多個(gè)高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景,提供更高效率、更低系統(tǒng)成本和更優(yōu)熱管理性能的解決方案。代理銷(xiāo)售英飛凌旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您介紹此系列產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用領(lǐng)域。

CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET系列產(chǎn)品型號(hào)

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IMCQ120R034M2H

IMCQ120R040M2H

IMCQ120R053M2H

IMCQ120R078M2H

如需產(chǎn)品規(guī)格書(shū)、樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求,請(qǐng)加客服微信:13310830171。

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封裝革新:頂部散熱帶來(lái)多重優(yōu)勢(shì)

此次推出的CoolSiC?產(chǎn)品采用SMD(表面貼裝)形式的頂部散熱Q-DPAK封裝,突破傳統(tǒng)底部散熱方式的限制。該封裝通過(guò)將主要熱量從器件頂部導(dǎo)出至散熱器或風(fēng)道,優(yōu)化了PCB布局設(shè)計(jì),顯著降低寄生電感與熱阻效應(yīng),同時(shí)提升了整體系統(tǒng)的散熱效率。

相比傳統(tǒng)底部散熱方案,頂部散熱結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化了PCB布局復(fù)雜度,減少對(duì)厚銅層和多層地平面的依賴(lài),有助于實(shí)現(xiàn)更高的裝配自動(dòng)化程度,并降低制造過(guò)程中的工藝難度和成本。

性能亮點(diǎn):低導(dǎo)通損耗+優(yōu)化開(kāi)關(guān)特性

新一代CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET在電氣性能方面表現(xiàn)出色:

極低RDS(on)(導(dǎo)通電阻),支持更高電流密度;

雜散電感小,提升開(kāi)關(guān)瞬態(tài)響應(yīng)能力;

第二代SiC技術(shù)帶來(lái)優(yōu)化的開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)(FOM),顯著降低開(kāi)關(guān)損耗;

集成雪崩保護(hù)、短路保護(hù)與寄生導(dǎo)通抑制功能,增強(qiáng)器件魯棒性;

支持950V RMS電壓,滿(mǎn)足污染等級(jí)2的應(yīng)用環(huán)境要求;

封裝材料具備CTI(相對(duì)漏電起痕指數(shù))>600V,爬電距離超過(guò)4.8mm,具備優(yōu)異的耐濕性和長(zhǎng)期可靠性。

此外,該封裝采用XT擴(kuò)散焊技術(shù),進(jìn)一步提升內(nèi)部連接的機(jī)械強(qiáng)度和熱傳導(dǎo)效率,確保器件在高溫工況下穩(wěn)定運(yùn)行。

多領(lǐng)域適配,助力高效電源系統(tǒng)升級(jí)

得益于其出色的性能和封裝靈活性,英飛凌新款CoolSiC? MOSFET可廣泛應(yīng)用于以下關(guān)鍵場(chǎng)景:

電動(dòng)汽車(chē)充電樁:提升能效與功率密度,縮短充電時(shí)間;

太陽(yáng)能逆變器:實(shí)現(xiàn)更高轉(zhuǎn)換效率與系統(tǒng)可靠性;

UPS不間斷電源:降低運(yùn)行損耗,延長(zhǎng)后備供電時(shí)間;

SSCB(固態(tài)接觸器):支持快速響應(yīng)與無(wú)弧切換;

工業(yè)驅(qū)動(dòng)與伺服系統(tǒng):提高動(dòng)態(tài)響應(yīng)與負(fù)載能力;

人工智能服務(wù)器電源:滿(mǎn)足AI芯片高功耗下的高效供電需求;

CAV(恒壓恒頻電源系統(tǒng)):保障電力輸出穩(wěn)定性。

推動(dòng)碳化硅應(yīng)用普及,降低總體擁有成本

英飛凌表示,此次推出的頂部散熱Q-DPAK封裝CoolSiC? MOSFET不僅在性能上實(shí)現(xiàn)了跨越,更重要的是降低了客戶(hù)的設(shè)計(jì)門(mén)檻與系統(tǒng)BOM成本,推動(dòng)碳化硅器件在中高功率市場(chǎng)的廣泛應(yīng)用。

隨著全球能源轉(zhuǎn)型加速推進(jìn),以及對(duì)高效、綠色、智能化電源系統(tǒng)的持續(xù)追求,英飛凌將持續(xù)拓展其SiC產(chǎn)品線,為工業(yè)客戶(hù)打造更具競(jìng)爭(zhēng)力的電力電子解決方案。

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