英飛凌科技近日發(fā)布了一款采用頂部散熱QDPAK封裝的CoolSiC? 1200V G2碳化硅（SiC）MOSFET半橋產(chǎn)品，旨在滿足工業(yè)驅(qū)動、電動汽車充電基礎(chǔ)設施、太陽能逆變器及不間斷電源（UPS）等高功率應用場景的需求。該系列產(chǎn)品在性能、熱管理與系統(tǒng)集成方面實現(xiàn)了多項技術(shù)突破。

英飛凌此次推出的四款型號分別為：IMSQ120R012M2HH、IMSQ120R026M2HH、IMSQ120R040M2HH 和 IMSQ120R053M2HH，均基于英飛凌領(lǐng)先的第二代CoolSiC? MOSFET技術(shù)打造，具備出色的開關(guān)性能和優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)（FOM），可顯著提升系統(tǒng)效率并降低整體損耗。

優(yōu)化熱設計，提升系統(tǒng)集成能力

QDPAK是一種表面貼裝（SMD）頂部散熱封裝形式，相較于傳統(tǒng)的底部散熱方案，其最大的優(yōu)勢在于簡化了PCB布局，并有效降低了寄生電感的影響。這種封裝方式不僅提升了散熱效率，還增強了器件在高功率密度應用中的可靠性。

此外，頂部散熱結(jié)構(gòu)更易于實現(xiàn)自動化裝配流程，減少了人工干預，有助于降低制造成本。同時，得益于材料CTI（相比漏電起痕指數(shù)）超過600、爬電距離大于4.8mm的設計標準，該系列器件在高濕環(huán)境下的穩(wěn)定性和安全性也得到了保障。

增強保護機制，提升系統(tǒng)魯棒性

為確保在復雜工況下的運行安全，該系列產(chǎn)品集成了多項保護功能，包括雪崩保護、短路保護以及防止寄生導通的PTO（Parasitic Turn-On）保護，進一步提升了系統(tǒng)的魯棒性與長期穩(wěn)定性。

在電氣性能方面，該系列產(chǎn)品支持高達950V的有效電壓工作，適用于污染等級2的工業(yè)環(huán)境，具備廣泛的適用性與兼容性。

面向未來的高性價比解決方案

憑借其低RDS(on)、高功率密度和優(yōu)異的熱管理能力，這些SiC MOSFET半橋模塊不僅能顯著改善系統(tǒng)能效，還可幫助客戶降低總體擁有成本（TCO）或物料清單（BOM）成本，是高性能電力電子系統(tǒng)設計的理想選擇。

英飛凌表示，隨著工業(yè)自動化、綠色能源和電動汽車市場的快速發(fā)展，對高效、可靠、緊湊型功率器件的需求將持續(xù)增長。該系列產(chǎn)品的推出，將進一步鞏固英飛凌在寬禁帶半導體領(lǐng)域的領(lǐng)導地位，助力客戶加速創(chuàng)新應用落地。

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